隨著CROSSBAR近日在上海設立辦事處，開始進軍中國存儲市場，也把RRAM（阻變式存儲器技術）這一新型存儲技術帶到了產(chǎn)業(yè)視線。RRAM提供用于MCU、SoC和FPGA的低遲滯、高性能、低功耗嵌入式存儲器，面向低功耗和安全的物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴和平板電腦、消費電子、工業(yè)和汽車電子市場。

　　Crossbar RRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內(nèi)存技術的有力競爭者，從而贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的芯片上存儲數(shù)個TB的數(shù)據(jù)，能夠?qū)⒑Ａ啃畔ⅲ?50小時的高清電影，存儲在比郵票還小的集成電路上，并進行回放。憑借簡單的三層結(jié)構(gòu)，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術節(jié)點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術無可比擬的存儲容量。

　　Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢，極有可能成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)的理想選擇。Crossbar技術能夠?qū)崿F(xiàn)極高密度的存儲解決方案，包括：

　　在單芯片上實現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲

　　比DRAM高40倍的密度，并具備最高的性能和可靠性

　　100倍更快的讀取速度

　　比NAND快1,000倍的寫入速度

　　比NAND高1,000倍的耐久性

　　支持高溫環(huán)境，可用于數(shù)據(jù)中心和移動設備

　　Crossbar技術應用如下：

　　消費電子、手機、平板電腦—將你所有個人娛樂、數(shù)據(jù)、照片和信息存儲到口袋大小的設備中。提供快速存儲，回放，備份和歸檔。

　　企業(yè)存儲、SSD和云計算—拓展SSD的可靠性和容量。提升企業(yè)、數(shù)據(jù)中心和云存儲系統(tǒng)的性能。

　　物聯(lián)網(wǎng)；工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)—為工業(yè)和連接應用程序，諸如智能電表和恒溫器提供長達數(shù)年的電池壽命。擁有較大溫度范圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩(wěn)定。支持全新、高集成的SoC，可由紐扣電池供電或通過太陽能、熱能以及簡單震動獲取電能。

　　可穿戴計算 — 支持新一代可穿戴計算，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下，實現(xiàn)高容量存儲。

　　安全支付 —能夠永久存儲安全應用所需的密碼和加密密鑰，覆蓋從大容量智能卡，到用于非接觸支付的高端移動處理器。

　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發(fā)受益。”

　　通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器（RRAM）到智能卡、機頂盒、IP相機和監(jiān)視器等一系列應用，Crossbar的客戶現(xiàn)正設計并推出低功耗、高安全性的解決方案。

　　Minassian博士表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內(nèi)存模塊，也可單獨作為EEPROM內(nèi)存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

　　Crossbar技術首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位。盧博士在RRAM領域積累了十二年的研究經(jīng)驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設備行業(yè)的領先專家，包括基于雙端電阻開關設備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導體納米線設備和低維系統(tǒng)中的電子輸運。