晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。 臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。

臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。

臺(tái)積電次世代內(nèi)存布局 圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供

這也是臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家向法人表達(dá)不會(huì)跨足標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存，不會(huì)角逐東芝分割成立半導(dǎo)體公司股權(quán)后，臺(tái)積電再次說(shuō)明內(nèi)存的戰(zhàn)策布局，將瞄準(zhǔn)效能比一般DRAM和儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）的MRAM和RRAM。

稍早三星電子也在一場(chǎng)晶圓廠商論壇中發(fā)表該公司所研發(fā)的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存廠，產(chǎn)品技術(shù)時(shí)程大幅領(lǐng)先臺(tái)積電，三星的MRAM并獲恩智浦導(dǎo)入。

據(jù)了解，臺(tái)積電早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代內(nèi)存研發(fā)，多年來(lái)因難度高，商業(yè)化和競(jìng)爭(zhēng)力遠(yuǎn)不如DRAM，導(dǎo)致多家廠商都都僅限于研發(fā)。

內(nèi)存業(yè)者表示，次世代內(nèi)存中，投入研發(fā)的廠商主要集中MRAM、RRAM及相變化內(nèi)存（PRAM）等三大次世代內(nèi)存，其中以MRAM的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。

不過(guò)，在DRAM和NAND Flash制程已逼近極限，包括無(wú)人車、AI人工智能、高階智能型手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等要求快速演算等功能，是臺(tái)積電認(rèn)為商機(jī)即將成熟并決定在2018及2019年提供相關(guān)嵌入及整合其他異質(zhì)芯片技術(shù)，進(jìn)行商業(yè)化量產(chǎn)。