MOSFET 相關文章(573篇)

英飞凌推出650V CoolMOS™ C6/E6高压功率晶体管为开关应用带来最高效率和轻松控制
發(fā)表于：2010/7/2 上午12:00:00
集成的 5A MOSFET 和 RSENSE提供高度集成的热插拔解决方案
發(fā)表于：2010/7/1 上午12:00:00
具内置 5V MOSFET 栅极驱动的超低 VIN DC/DC 微型模块稳压器从低至 1.5VIN 的输入提供 15A
發(fā)表于：2010/6/30 上午12:00:00
解读功率电子技术发展趋势
發(fā)表于：2010/6/24 上午12:00:00
1.2A 过压/过流保护器隔离敏感低压电子产品与输入电源浪涌
發(fā)表于：2010/6/24 上午12:00:00
安森美半导体推出采用紧凑SOIC-8封装的高能效同步稳压器
發(fā)表于：2010/6/24 上午12:00:00
浅谈如何提升轻载能效及降低待机功耗
發(fā)表于：2010/6/22 上午12:00:00
Vishay更新军品级别的模拟开关和复用器产品线
發(fā)表于：2010/6/21 上午12:00:00
Allegro MicroSystems 公司推出新款三相无刷直流电动机预驱动器 IC面向办公自动化市场
發(fā)表于：2010/6/17 上午12:00:00
德州仪器 NexFETTM 功率模块以分立式解决方案 50% 的尺寸实现最高的效率、频率以及功率密度
發(fā)表于：2010/6/17 上午12:00:00
Vishay发布帮助客户进一步节约器件占位空间和系统成本的解决方案的视频教程
發(fā)表于：2010/6/12 上午12:00:00
Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具
發(fā)表于：2010/6/9 上午12:00:00
德州仪器 NexFETTM 功率模块以分立式解决方案 50% 的尺寸实现最高的效率、频率以及功率密度
發(fā)表于：2010/6/9 上午12:00:00
运用MOSFET实现完美安全系统
發(fā)表于：2010/6/7 上午12:00:00
功率半导体下游需求旺盛前景看好
發(fā)表于：2010/6/4 上午12:00:00
恩智浦发布两种拥有0.65 mm的行业最低高度的新2x2 mm无铅分立封装
發(fā)表于：2010/6/3 上午12:00:00
IGBT在不间断电源中的应用
發(fā)表于：2010/6/1 上午12:00:00
大功率多相降压型 DC/DC 控制器具有差分远端采样、有源电压定位和 Stage Shedding 技术
發(fā)表于：2010/5/25 上午12:00:00
Maxim推出内置MOSFET的单端口、供电设备(PSE)控制器
發(fā)表于：2010/5/25 上午12:00:00
基于功率MOSFET设计考量
發(fā)表于：2010/5/18 上午12:00:00
针对大电流轨的三相降压型 DC/DC 控制器
發(fā)表于：2010/5/17 上午12:00:00
英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8无管脚SMD封装，旨在实现更高功率密度解决方案
發(fā)表于：2010/5/10 上午12:00:00
IR 推出汽车用 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，提供可靠的紧凑型解决方案
發(fā)表于：2010/5/10 上午12:00:00
高性能4通道D类音频放大器设计
發(fā)表于：2010/5/5 上午12:00:00
Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道TrenchFET功率MOSFET
發(fā)表于：2010/5/5 上午12:00:00
Vishay Siliconix发布首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/27 上午12:00:00
Maxim推出内置28V MOSFET的双向过流保护器
發(fā)表于：2010/4/26 上午12:00:00
英飞凌与飞兆半导体达成功率MOSFET兼容协议
發(fā)表于：2010/4/26 上午12:00:00
安森美半导体扩充高压功率方案系列，推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/9 上午12:00:00
Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/8 上午12:00:00

Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有京ICP備10017138號-2