《電子技術(shù)應(yīng)用》
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德州儀器 NexFETTM 功率模塊以分立式解決方案 50% 的尺寸實現(xiàn)最高的效率、頻率以及功率密度

高性能同步器件在統(tǒng)一封裝中堆棧 2 個 NexFET MOSFET可支持高電流、多相位 POL 應(yīng)用
2010-06-09
作者:德州儀器 (TI)
關(guān)鍵詞: MOSFET 模塊 封裝 TI

2010 年 6 月 9日,北京訊
  德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負(fù)載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。更多詳情,敬請訪問:www.ti.com.cn/powerblock-prcn。
 
  NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間,改善整體電路性能。此外,NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?br />  
CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢:
  •5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%;
  •可在 25 A 的工作電流下實現(xiàn)超過 90% 的電源效率,與同類競爭器件相比,效率高 2%,功率損耗低 20 %;
  •與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍;
  •底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。
  
供貨與價格情況
  采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨,可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進行訂購。此外,樣片與評估板也已同步開始提供。
 
查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情:
  •如欲了解完整的 NexFET 產(chǎn)品系列,敬請訪問:http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn;
  •通過 TI E2E™ 社區(qū)的 NexFET 論壇向同行工程師咨詢問題,并幫助解決技術(shù)難題:www.ti.com/nexfetforum-pr;
  •搜索最新 MOSFET 圖形參數(shù)選擇工具:www.ti.com/mosfet-gps-pr
  •查看針對 NexFET 技術(shù)專門優(yōu)化的 DC-DC 控制器:TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。
 
商標(biāo)
  NexFET 與 TI E2E 是德州儀器的商標(biāo)。所有商標(biāo)與注冊商標(biāo)均是其各自所有者的財產(chǎn)。


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關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
  TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源降低能耗。這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 可為系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)最先進的 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換解決方案。
 
關(guān)于德州儀器公司
  德州儀器 (TI) 始終致力于幫助客戶從容應(yīng)對任何設(shè)計挑戰(zhàn),從而開發(fā)出創(chuàng)新的電子解決方案,讓未來世界更智能、更健康、更安全、更環(huán)保以及更精彩。作為全球性的半導(dǎo)體公司,TI 在全球超過 30 個國家設(shè)有制造、設(shè)計或銷售機構(gòu)。
  TI 在紐約證交所上市交易,交易代碼為 TXN。
  如欲了解有關(guān) TI 的進一步信息,敬請查詢 http://www.ti.com.cn。
  TI 半導(dǎo)體產(chǎn)品信息中心免費熱線電話:800-820-8682。
 

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