2010 年 6 月 9日，北京訊
　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。
　
　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時(shí)間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?br /> 　
CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢(shì)：
　　•5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個(gè)采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%；
　　•可在 25 A 的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過 90% 的電源效率，與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，效率高 2%，功率損耗低 20 %；
　　•與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
　　•底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡(jiǎn)化布局。
　 
供貨與價(jià)格情況
　　采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購(gòu)。此外，樣片與評(píng)估板也已同步開始提供。
　
查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情：
　　•如欲了解完整的 NexFET 產(chǎn)品系列，敬請(qǐng)?jiān)L問：http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn；
　　•通過 TI E2E™ 社區(qū)的 NexFET 論壇向同行工程師咨詢問題，并幫助解決技術(shù)難題：www.ti.com/nexfetforum-pr；
　　•搜索最新 MOSFET 圖形參數(shù)選擇工具：www.ti.com/mosfet-gps-pr；
　　•查看針對(duì) NexFET 技術(shù)專門優(yōu)化的 DC-DC 控制器：TPS40303、TPS40304、TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。
　
商標(biāo)
　　NexFET 與 TI E2E 是德州儀器的商標(biāo)。所有商標(biāo)與注冊(cè)商標(biāo)均是其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

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關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
　　TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源降低能耗。這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 可為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)的 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換解決方案。
　
關(guān)于德州儀器公司
　　德州儀器 (TI) 始終致力于幫助客戶從容應(yīng)對(duì)任何設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，從而開發(fā)出創(chuàng)新的電子解決方案，讓未來世界更智能、更健康、更安全、更環(huán)保以及更精彩。作為全球性的半導(dǎo)體公司，TI 在全球超過 30 個(gè)國(guó)家設(shè)有制造、設(shè)計(jì)或銷售機(jī)構(gòu)。
　　TI 在紐約證交所上市交易，交易代碼為 TXN。
　　如欲了解有關(guān) TI 的進(jìn)一步信息，敬請(qǐng)查詢 http://www.ti.com.cn。
　　TI 半導(dǎo)體產(chǎn)品信息中心免費(fèi)熱線電話：800-820-8682。