近日，據(jù)天眼查顯示華為技術(shù)有限公司公開(kāi)“半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊、電路、制備方法”專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN113054010A，申請(qǐng)日期為2021年2月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及相關(guān)模塊、電路、制備方法，該器件包括：N型漂移層、P型基極層、N型發(fā)射極層、柵極、場(chǎng)截止層和P型集電極層等，其中，場(chǎng)截止層包括依次層疊于N型漂移層的表面的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑小于第二摻雜區(qū)的雜質(zhì)的粒子半徑，第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的摻雜濃度均高于N型漂移層的摻雜濃度。上述半導(dǎo)體器件，可以有效降低IGBT的集電極與發(fā)射極之間的漏電流。

據(jù)悉，IGBT技術(shù)多用于功率半導(dǎo)體，對(duì)于華為而言，在其汽車(chē)研發(fā)和光伏逆變器等產(chǎn)品上要用IGBT技術(shù)。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，在功率器件中，進(jìn)行多次外延，在襯底的基礎(chǔ)上增加不同摻雜元素和不同厚度的外延層，用于改善極間漏電流。