《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

2010-07-02
作者:IR

  全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。
 
  新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能,適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
 
  IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“由于新器件的尺寸僅為0.9mm,并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳,可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻,因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開關(guān)應(yīng)用。”
 
  所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。
 
產(chǎn)品基本規(guī)格

器件編號(hào)

封裝

電壓

電流

導(dǎo)通電阻

柵極電荷

類型

柵極

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5110TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

63A

12.4 mOhm

48 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5210TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

55A

14.9 mOhm

39 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5015TRPBF

PQFN 5x6mm

150 V

56A

31 mOhm

33 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRFH5020TRPBF

PQFN 5x6mm

200 V

41A

59 mOhm

36 nC

標(biāo)準(zhǔn)

IRLH5034TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

最大2.4 mOhm

43 nC

邏輯電平

IRLH5036TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

最大4.4 mOhm

44 nC

邏輯電平

IRLH5030TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

最大9.0 mOhm

44 nC

邏輯電平


  新器件現(xiàn)已接受訂單,數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。
 
IR簡(jiǎn)介
  國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱 IR,紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國(guó)際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
 
  IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯,在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國(guó)網(wǎng)站:www.irf.com.cn。
 
專利和商標(biāo)
  IR® 和 HEXFET® 是國(guó)際整流器公司(International Rectifier Corporation)的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。
 

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