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科美存儲發(fā)布首款100%國產(chǎn)DDR5 RDIMM內存條
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SK海力士宣布全球率先向客戶提供12層HBM4內存樣品
發(fā)表于：2025/3/19 11:25:37
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韓國半導體對華出口暴跌
發(fā)表于：2025/3/18 9:20:36
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三星電子展望未來HBM內存
發(fā)表于：2025/3/17 11:28:38
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美光宣布1γ DRAM內存開始出貨
發(fā)表于：2025/2/26 10:22:00
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三星電子公布HBM4E內存規(guī)劃
發(fā)表于：2025/2/25 11:17:00
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美國研究人員成功在1立方毫米晶體中存儲數(shù)TB數(shù)據(jù)
發(fā)表于：2025/2/24 11:05:02
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今年一季度NAND Flash價格將繼續(xù)下跌13-18%
發(fā)表于：2025/2/18 9:28:06
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三星電子正調整1c nm DRAM內存設計以保障良率
發(fā)表于：2025/2/12 11:22:07
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Omdia：預計 PC/服務器/移動內存價格今年前三季度累計下滑15%
發(fā)表于：2025/2/11 10:24:58
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消息稱三星電子已將1c nm內存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：2025/1/21 13:00:00
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
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美光新加坡HBM內存先進封裝工廠動工
發(fā)表于：2025/1/9 10:03:39
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三星準備開發(fā)傳統(tǒng)結構1e nm DRAM
發(fā)表于：2024/12/31 11:16:19
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國產(chǎn)DDR5內存首次拆解
發(fā)表于：2024/12/23 9:28:29
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首款國產(chǎn)DDR5內存終于來了
發(fā)表于：2024/12/18 11:41:40
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內存量產(chǎn)設備訂購
發(fā)表于：2024/12/11 11:39:59
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消息稱內存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
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60秒看懂DDR5內存標簽
發(fā)表于：2024/10/28 9:26:08
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2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長24.8%
發(fā)表于：2024/8/16 8:50:50
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Intel官宣放棄傲騰持久內存200系列
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消息稱SK 海力士五層堆疊3D DRAM內存良率已達56.1%
發(fā)表于：2024/6/24 10:35:10
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消息稱三星電子已提前組建1dnm內存技術開發(fā)團隊
發(fā)表于：2024/5/10 9:00:16
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SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:13
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東京大學研制出新型半導體器件
發(fā)表于：2024/4/7 8:51:18
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LPDDR6內存標準公布在即：高通驍龍8 Gen4有望首發(fā)！
發(fā)表于：2024/3/12 9:00:28
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DRAM增長全面轉正，六巨頭大漲221%
發(fā)表于：2024/3/8 10:00:00
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三星正開發(fā)新型LLW DRAM：高帶寬、低功耗
發(fā)表于：2024/1/12 10:12:38
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發(fā)表于：2023/12/12 21:36:02
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美光推出基于32Gb單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內存
發(fā)表于：2023/11/22 17:22:17
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