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三星電子公布HBM4E內(nèi)存規(guī)劃
發(fā)表于：2/25/2025 11:17:00 AM
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美國研究人員成功在1立方毫米晶體中存儲數(shù)TB數(shù)據(jù)
發(fā)表于：2/24/2025 11:05:02 AM
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今年一季度NAND Flash價格將繼續(xù)下跌13-18%
發(fā)表于：2/18/2025 9:28:06 AM
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三星電子正調(diào)整1c nm DRAM內(nèi)存設(shè)計以保障良率
發(fā)表于：2/12/2025 11:22:07 AM
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Omdia：預計 PC/服務(wù)器/移動內(nèi)存價格今年前三季度累計下滑15%
發(fā)表于：2/11/2025 10:24:58 AM
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消息稱三星電子已將1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲半年
發(fā)表于：1/21/2025 1:00:00 PM
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消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場
發(fā)表于：1/16/2025 11:26:14 AM
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美光新加坡HBM內(nèi)存先進封裝工廠動工
發(fā)表于：1/9/2025 10:03:39 AM
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三星準備開發(fā)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)1e nm DRAM
發(fā)表于：12/31/2024 11:16:19 AM
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國產(chǎn)DDR5內(nèi)存首次拆解
發(fā)表于：12/23/2024 9:28:29 AM
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首款國產(chǎn)DDR5內(nèi)存終于來了
發(fā)表于：12/18/2024 11:41:40 AM
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消息稱三星電子啟動下代1c nm DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備訂購
發(fā)表于：12/11/2024 11:39:59 AM
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消息稱內(nèi)存原廠考慮HBM4采用無助焊劑鍵合
發(fā)表于：11/15/2024 11:05:20 AM
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60秒看懂DDR5內(nèi)存標簽
發(fā)表于：10/28/2024 9:26:08 AM
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2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長24.8%
發(fā)表于：8/16/2024 8:50:50 AM
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Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列
發(fā)表于：7/3/2024 8:27:00 AM
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消息稱SK 海力士五層堆疊3D DRAM內(nèi)存良率已達56.1%
發(fā)表于：6/24/2024 10:35:10 AM
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消息稱三星電子已提前組建1dnm內(nèi)存技術(shù)開發(fā)團隊
發(fā)表于：5/10/2024 9:00:16 AM
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SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成
發(fā)表于：4/26/2024 8:59:13 AM
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東京大學研制出新型半導體器件
發(fā)表于：4/7/2024 8:51:18 AM
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LPDDR6內(nèi)存標準公布在即：高通驍龍8 Gen4有望首發(fā)！
發(fā)表于：3/12/2024 9:00:28 AM
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DRAM增長全面轉(zhuǎn)正，六巨頭大漲221%
發(fā)表于：3/8/2024 10:00:00 AM
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三星正開發(fā)新型LLW DRAM：高帶寬、低功耗
發(fā)表于：1/12/2024 10:12:38 AM
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內(nèi)存大漲價！
發(fā)表于：12/12/2023 9:36:02 PM
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美光推出基于32Gb單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存
發(fā)表于：11/22/2023 5:22:17 PM
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微星英特爾 700/600 系主板支持單條 24GB / 48GB DDR5 內(nèi)存，總?cè)萘恐С?192GB
發(fā)表于：2/11/2023 5:56:04 AM
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半導體的2023：SiC將大放異彩，內(nèi)存大跌
發(fā)表于：1/13/2023 1:05:52 PM
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存儲芯片暴跌至“白菜價”
發(fā)表于：12/27/2022 11:39:19 PM
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從三星路線圖看DRAM發(fā)展新動向
發(fā)表于：10/9/2022 10:15:53 AM
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教學——Linux 下查看內(nèi)存使用情況方法總結(jié)
發(fā)表于：9/9/2022 5:46:33 PM
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