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制造商将重心转向DDR5等新技术致DDR4内存价格反涨50%
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美光宣布全球首款1γ LPDDR5X内存正式送样
發(fā)表于：2025/6/6 下午1:31:56
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美光率先推出第六代10nm级LPDDR5xDRAM内存
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Intel力拼2027年打造HBM内存替代方案
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三星被曝将首次外包芯片光掩模生产
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB产品客户验证
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消息称三星电子正推动DRAM制程升级
發(fā)表于：2025/4/22 上午11:23:36
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消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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HBM4内存正式标准化 JEDEC发布JESD270-4规范
發(fā)表于：2025/4/17 下午12:28:01
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消息称美光加速HBM内存TC键合设备采购
發(fā)表于：2025/4/14 下午9:16:20
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HBM3E内存竞赛升温
發(fā)表于：2025/4/11 上午1:34:09
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据称长鑫存储正考虑提高DDR4产品价格
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科美存储发布首款100%国产DDR5 RDIMM内存条
發(fā)表于：2025/4/3 下午3:13:53
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SK海力士宣布全球率先向客户提供12层HBM4内存样品
發(fā)表于：2025/3/19 上午11:25:37
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韩国半导体对华出口暴跌
發(fā)表于：2025/3/18 上午9:20:36
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三星电子展望未来HBM内存
發(fā)表于：2025/3/17 上午11:28:38
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美光宣布1γ DRAM内存开始出货
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三星电子公布HBM4E内存规划
發(fā)表于：2025/2/25 上午11:17:00
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美国研究人员成功在1立方毫米晶体中存储数TB数据
發(fā)表于：2025/2/24 上午11:05:02
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今年一季度NAND Flash价格将继续下跌13-18%
發(fā)表于：2025/2/18 上午9:28:06
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三星电子正调整1c nm DRAM内存设计以保障良率
發(fā)表于：2025/2/12 上午11:22:07
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Omdia：预计 PC/服务器/移动内存价格今年前三季度累计下滑15%
發(fā)表于：2025/2/11 上午10:24:58
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消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
發(fā)表于：2025/1/21 下午1:00:00
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消息称美光将加入16-Hi HBM3E战场
發(fā)表于：2025/1/16 上午11:26:14
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美光新加坡HBM内存先进封装工厂动工
發(fā)表于：2025/1/9 上午10:03:39
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三星准备开发传统结构1e nm DRAM
發(fā)表于：2024/12/31 上午11:16:19
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国产DDR5内存首次拆解
發(fā)表于：2024/12/23 上午9:28:29
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首款国产DDR5内存终于来了
發(fā)表于：2024/12/18 上午11:41:40
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消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购
發(fā)表于：2024/12/11 上午11:39:59
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消息称内存原厂考虑HBM4采用无助焊剂键合
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