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LG電子啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)追逐未來HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)
發(fā)表于：2025/7/14 11:39:47
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JEDEC發(fā)布LPDDR6新標準
發(fā)表于：2025/7/10 21:09:38
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Cadence推出業(yè)界首款LPDDR6/5X 14.4Gbps內(nèi)存IP
發(fā)表于：2025/7/10 21:04:38
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2025年三季度NAND Flash合約價環(huán)比增長5%至10%
發(fā)表于：2025/7/10 20:44:34
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美國對日韓全面加征25%關(guān)稅重創(chuàng)內(nèi)存行業(yè)
發(fā)表于：2025/7/9 19:41:39
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銷路不佳 三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半
發(fā)表于：2025/7/7 14:25:00
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DRAM史上最大代際倒掛繼續(xù)：DDR4現(xiàn)貨平均價2.6倍于DDR5
發(fā)表于：2025/7/7 9:12:39
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三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè)
發(fā)表于：2025/7/3 11:23:02
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三星電子加入SOCAMM內(nèi)存模塊戰(zhàn)場
發(fā)表于：2025/7/2 10:56:19
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HBM內(nèi)存價格戰(zhàn)風(fēng)雨欲來
發(fā)表于：2025/7/2 9:35:38
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三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成
發(fā)表于：2025/7/1 13:13:16
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消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：2025/6/27 13:21:00
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英偉達在SK海力士HBM內(nèi)存銷售額占比降至80%
發(fā)表于：2025/6/25 11:12:01
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設(shè)計改進助三星電子1c nm內(nèi)存良率明顯提升
發(fā)表于：2025/6/25 10:55:38
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SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購
發(fā)表于：2025/6/17 13:22:57
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美光宣布在美投資增至2000億美元
發(fā)表于：2025/6/13 13:56:25
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消息稱三星電子在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域率先導(dǎo)入干式光刻膠技術(shù)
發(fā)表于：2025/6/12 11:33:10
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美光宣布向多個關(guān)鍵客戶出樣HBM4 36GB 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：2025/6/11 11:17:03
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制造商將重心轉(zhuǎn)向DDR5等新技術(shù)致DDR4內(nèi)存價格反漲50%
發(fā)表于：2025/6/9 13:00:29
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美光宣布全球首款1γ LPDDR5X內(nèi)存正式送樣
發(fā)表于：2025/6/6 13:31:56
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美光率先推出第六代10nm級LPDDR5xDRAM內(nèi)存
發(fā)表于：2025/6/4 14:35:39
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Intel力拼2027年打造HBM內(nèi)存替代方案
發(fā)表于：2025/6/3 13:07:19
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三星被曝將首次外包芯片光掩模生產(chǎn)
發(fā)表于：2025/5/14 9:03:07
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SK海力士宣布完成基于CXL 2.0 的 DDR5 96GB產(chǎn)品客戶驗證
發(fā)表于：2025/4/23 9:54:45
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消息稱三星電子正推動DRAM制程升級
發(fā)表于：2025/4/22 11:23:36
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消息稱三星電子HBM4內(nèi)存邏輯芯片進展較佳
發(fā)表于：2025/4/18 10:46:39
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HBM4內(nèi)存正式標準化 JEDEC發(fā)布JESD270-4規(guī)范
發(fā)表于：2025/4/17 12:28:01
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消息稱美光加速HBM內(nèi)存TC鍵合設(shè)備采購
發(fā)表于：2025/4/14 21:16:20
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HBM3E內(nèi)存競賽升溫
發(fā)表于：2025/4/11 1:34:09
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據(jù)稱長鑫存儲正考慮提高DDR4產(chǎn)品價格
發(fā)表于：2025/4/7 11:03:11
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