頭條 全球首款主動(dòng)安全AI電芯量產(chǎn) 7 月 27 日消息，7 月 23 日，德賽電池主動(dòng)安全電芯?系統(tǒng)量產(chǎn)全球發(fā)布會(huì)在湖南長(zhǎng)沙召開(kāi)，此次發(fā)布會(huì)推出主動(dòng)安全 AI 電芯和主動(dòng)安全儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。據(jù)悉，這也是全球首款主動(dòng)安全 AI 電芯量產(chǎn)。 最新資訊 300MHz 至 9GHz 高線性度 I/Q 解調(diào)器支持 1GHz 帶寬 中國(guó)，北京 – 2018 年 2 月 28 日 - Analog Devices, Inc. (ADI) 宣布推出推出寬帶、高線性度、真正零 IF (ZIF) 解調(diào)器 LTC5594，其具有 1GHz 瞬時(shí) I 和 Q 1dB 帶寬。這款解調(diào)器能夠提供 37dB (典型值) 的鏡頻抑制性能。 發(fā)表于：3/4/2018 SFP-DD MSA 發(fā)布 1.1 版高速高密度接口規(guī)范 新加坡 – 2018 年 2 月 28 日 – 小形狀系數(shù)可插拔雙密度 (SFP-DD) 多源協(xié)議 (MSA) 集團(tuán)非常高興的宣布發(fā)布 SFP-DD 可插拔接口的更新版規(guī)范 發(fā)表于：3/4/2018 安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本 2018年2月28日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。 發(fā)表于：3/4/2018 有趣、有料、有驚喜，第三屆是德科技感恩月開(kāi)幕 是德科技（NYSE：KEYS）宣布，秉承扎根中國(guó)、回報(bào)中國(guó)的理念，是德科技中國(guó)第三屆感恩月宣布正式開(kāi)始。是德科技大中華區(qū)銷售總經(jīng)理嚴(yán)中毅先生、是德科技大中華區(qū)市場(chǎng)總監(jiān)鄭紀(jì)峰先生，一并出席揭幕儀式，為該活動(dòng)揭幕。 發(fā)表于：3/4/2018 美光科技宣布推出適用于旗艦級(jí)智能手機(jī)的 西班牙巴塞羅那，2018 年 2 月 26 日（全球新聞通訊）——美光科技有限公司（納斯達(dá)克代碼：MU）今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)品，這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動(dòng) 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇 發(fā)表于：3/4/2018 TI推出新款1MHz有源鉗位反激式芯片組和業(yè)界首款6A三級(jí)降壓電池充電器，可將電源尺寸和充電時(shí)間減少一半 2018年3月1日，北京訊——德州儀器（TI）(NASDAQ: TXN) 近日推出了多款新型電源管理芯片，可幫助設(shè)計(jì)人員提高個(gè)人電子設(shè)備和手持工業(yè)設(shè)備的效率，縮小電源和充電器解決方案的尺寸。 發(fā)表于：3/4/2018 貿(mào)澤電子開(kāi)售Maxim Integrated MAX2250xE 收發(fā)器 2018年3月2日 – 專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨Maxim Integrated的 MAX22500E和MAX22501E RS-485/RS-422收發(fā)器 發(fā)表于：3/4/2018 氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；⒐?yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 發(fā)表于：3/4/2018 瑞薩電子推出用于3、4級(jí)自動(dòng)駕駛汽車前視攝像頭的R-Car V3H SoC 2018年3月2日，日本東京訊 –全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布，推出新款R-Car V3H片上系統(tǒng)（SoC）。 發(fā)表于：3/4/2018 英國(guó)石油公司獲中堪薩斯電氣20MW太陽(yáng)能項(xiàng)目 近日，Lightsource英國(guó)石油公司將在堪薩斯州建造最大的太陽(yáng)能項(xiàng)目，并與Sunflower電力公司的子公司中堪薩斯電力公司簽訂了為期25年的PPA協(xié)議。 發(fā)表于：3/2/2018 ?…529530531532533534535536537538…?
