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業(yè)界動態(tài)

英飛凌推出最新高性能微控制器系列PSOC? Control MCU

2025年1月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基于Arm® Cortex®-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列PSOC? Control。

發(fā)表于：2025/1/22 17:56:31

恩智浦發(fā)布EdgeLock A30，簡化工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備認(rèn)證

中國上?！?025年1月22日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布推出EdgeLock A30安全認(rèn)證器，進一步擴大被廣泛采用的恩智浦EdgeLock獨立安全解決方案產(chǎn)品系列，繼續(xù)致力于提供工業(yè)和智能家居能源管理創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。

發(fā)表于：2025/1/22 16:40:37

【回顧與展望】是德科技：向綠而行，推進可持續(xù)發(fā)展

可再生能源領(lǐng)域在 2025 年開局便展現(xiàn)出了四大顯著的發(fā)展趨勢。具體來說，就是數(shù)據(jù)管理將助推可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域積極擁抱AI技術(shù)；與此同時，向著可再生能源轉(zhuǎn)型和發(fā)展的步伐將進一步加快；全球可再生能源發(fā)電領(lǐng)域也將繼續(xù)刷新進度條；最后需要強調(diào)的一點是，政府的激勵措施對于推動分布式能源的采用依然至關(guān)重要。是德科技企業(yè)社會責(zé)任總監(jiān) Michele Robinson 和是德科技可持續(xù)發(fā)展與 EHS（環(huán)境、健康與安全）全球總監(jiān) Claire McCarthy ，兩位是德科技專家圍繞上述重要話題分享了具有專業(yè)價值的見解和思考。

發(fā)表于：2025/1/22 13:55:21

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團隊和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團隊等開展合作，共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號貨運飛船并成功通過太空第一階段驗證并實現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級換代。

發(fā)表于：2025/1/22 11:03:04

消息稱Arm計劃將授權(quán)許可費用漲價至高300%

1 月 21 日消息，據(jù)外媒 Sammobile 報道，Arm 正準(zhǔn)備大幅度提高授權(quán)許可的費用（最高漲價 300%），此舉將對三星 Exynos 芯片未來發(fā)展造成嚴(yán)重影響。

發(fā)表于：2025/1/22 10:52:33

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動

發(fā)表于：2025/1/22 10:42:06

傳三星和LG擬將部分家電產(chǎn)線從墨西哥轉(zhuǎn)向美國

據(jù)韓國經(jīng)濟新聞（Korea Economic Daily）1月21日報導(dǎo)，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產(chǎn)線從墨西哥廠轉(zhuǎn)移至美國廠。

發(fā)表于：2025/1/22 10:32:40

OpenAI攜手軟銀甲骨文等5000億美元成立AI新公司Stargate

美國當(dāng)?shù)貢r間1月21日，美國新任總統(tǒng)特朗普宣布，OpenAI、軟銀、甲骨文（Oracle）等聯(lián)合成立一家新的AI公司“Stargate”（星際之門），未來四年將投資5000億美元，預(yù)計將創(chuàng)造10萬個工作崗位?，F(xiàn)在，該公司會立刻投資1000億美元，用于建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：2025/1/22 10:23:00

三星HBM3內(nèi)存首次通過AMD MI300X中實現(xiàn)商用

1月21日消息，研究機構(gòu) TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內(nèi)存的首個商用實例，該內(nèi)存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內(nèi)存面世，其在商用產(chǎn)品中的部署對內(nèi)存制造商和AI芯片制造商來說都是一個重要的里程碑。據(jù)了解，MI300X擁有最多8個XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時HBM內(nèi)存帶寬高達5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。

發(fā)表于：2025/1/22 10:13:13

消息稱三星將從頭設(shè)計新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日報道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對其 12nm 級 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時從頭設(shè)計新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級 DRAM 工藝項目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡寫），專注改進能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：2025/1/22 10:03:58