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AET原創(chuàng)

MLCC缺貨依然無解原廠擴(kuò)產(chǎn)速度不敵市場(chǎng)需求增速

MLCC缺貨依然無解原廠擴(kuò)產(chǎn)速度不敵市場(chǎng)需求增速

片式多層陶瓷電容器MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是世界上用量最大、發(fā)展最快的片式元件之一，其主要優(yōu)點(diǎn)為體積小、頻率范圍寬、壽命長、成本低。此前MLCC主要用于各類軍用、民用電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波、旁路電路中，而現(xiàn)在其應(yīng)用領(lǐng)域早已廣泛應(yīng)用到自動(dòng)控制儀表、計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字家電、汽車電子等行業(yè)。

發(fā)表于：2018/10/19 13:42:00

FPGA的新技術(shù) 新機(jī)遇——2018英特爾FPGA教師大會(huì)側(cè)記

FPGA的新技術(shù) 新機(jī)遇——2018英特爾FPGA教師大會(huì)側(cè)記

??一周之內(nèi)，參加了兩場(chǎng)FPGA的盛會(huì)。毋庸置疑，數(shù)據(jù)中心、AI的盛行，為FPGA帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。不過，賽靈思CEO已經(jīng)宣稱他們不是一家FPGA芯片廠商，而是一家平臺(tái)廠商，還發(fā)布了新的平臺(tái)——ACAP。相比于對(duì)手的高調(diào)、激進(jìn)，英特爾FPGA顯得相對(duì)謹(jǐn)慎，更多地在生態(tài)做文章而不去調(diào)整產(chǎn)品本身的架構(gòu)，同時(shí)保持通用性來占領(lǐng)服務(wù)器加速，這個(gè)實(shí)實(shí)在在的市場(chǎng)。 ?兩種策略，孰是孰非，只能留待未來的市場(chǎng)來檢驗(yàn)了。? 本文還是來講講英特爾在人才培養(yǎng)的那些事吧！

發(fā)表于：2018/10/19 7:00:00

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺(tái)——Versal

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺(tái)——Versal

在賽靈思?（XDF）北京站上，賽靈思CEO Victor Peng高調(diào)宣布推出首款7nm工藝的ACAP平臺(tái)——Versal。

發(fā)表于：2018/10/16 17:02:00

詳細(xì)解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關(guān)注推斷

詳細(xì)解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關(guān)注推斷

在賽靈思XDF北京站上，賽靈思發(fā)布了一系列重磅產(chǎn)品，筆者印象最深的還是其針對(duì)AI的戰(zhàn)略。

發(fā)表于：2018/10/16 15:51:00

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

　　在確定第六代的WiFi協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)候，有一段時(shí)間，大家都認(rèn)為會(huì)是802.11ad協(xié)議。802.11ad Wi-Fi的數(shù)據(jù)吞吐量最高為4600Mbps，比當(dāng)時(shí)的802.11ac快四倍。802.11ad 并非由 IEEE 發(fā)布，而是由WiGig聯(lián)盟創(chuàng)建?！　?02.11ad在2009年正式宣布，然后于2011年與IEEE合作進(jìn)入草案階段，最后在WiGig聯(lián)盟與WiFi聯(lián)盟在2013年合并后正式成為官方WiFi標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：2018/10/12 11:22:00

上下二十年 WiFi標(biāo)準(zhǔn)六代發(fā)展史

上下二十年 WiFi標(biāo)準(zhǔn)六代發(fā)展史

WiFi是當(dāng)下人們最常用的無線局域網(wǎng)連接技術(shù)，沒有之一，多見于家居生活和公共場(chǎng)所中的手機(jī)、平板、筆記本設(shè)備的連接。本月4日， WiFi聯(lián)盟公布了最新的網(wǎng)絡(luò)協(xié)議新標(biāo)準(zhǔn)WiFi 6，它的標(biāo)準(zhǔn)代碼為802.11ax，這是迄今為止最新的WiFi標(biāo)準(zhǔn)，距離第一代WiFi標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)已有20余年時(shí)間。在這20年的時(shí)間里，WiFi標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)歷六代變遷，這些標(biāo)準(zhǔn)有何不同？讓我們來看一下。

發(fā)表于：2018/10/12 11:14:00

同為寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC和GaN有何不同？

同為寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC和GaN有何不同？

禁帶寬度是半導(dǎo)體材料的一個(gè)重要特征參量，其大小主要決定于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。禁帶越寬，意味著電子躍遷到導(dǎo)帶所需的能量越大，也意味著材料能承受的溫度和電壓越高，越不容易成為導(dǎo)體；禁帶越窄，意味著電子躍遷到導(dǎo)帶所需的能量越小，也意味著材料能承受的溫度和電壓越低，越容易成為導(dǎo)體。

發(fā)表于：2018/10/10 17:08:15

需求激增 SiC晶圓市場(chǎng)供應(yīng)不足

需求激增 SiC晶圓市場(chǎng)供應(yīng)不足

從2016年底開始，SiC晶圓供應(yīng)持續(xù)短缺。去年，來自市場(chǎng)的抱怨不斷。有些人預(yù)計(jì)這種情況將在2017年下半年得到緩解。但現(xiàn)在2018年已近尾聲，市場(chǎng)供應(yīng)短缺問題仍然存在。晶圓供應(yīng)，已成為2018年SiC市場(chǎng)增長的瓶頸之一。這種現(xiàn)狀的出現(xiàn)，主要原因有兩個(gè)：首先，從4英寸到6英寸晶圓的轉(zhuǎn)變，比供應(yīng)商預(yù)期的要快得多；其次，晶圓需求的增長，也快于市場(chǎng)預(yù)期。

發(fā)表于：2018/9/29 17:19:06

簡析第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)展

簡析第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)展

近年來，隨著功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)半導(dǎo)體、汽車電力電子等領(lǐng)域的空前發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料越發(fā)凸顯其重要性與優(yōu)越性。目前發(fā)達(dá)國家都將第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件等的發(fā)展列為半導(dǎo)體重要新興技術(shù)領(lǐng)域。那么，什么是第三代半導(dǎo)體材料？

發(fā)表于：2018/9/28 11:24:27

96層3D NAND閃存爭(zhēng)斗加劇

96層3D NAND閃存爭(zhēng)斗加劇

就在今天，東芝內(nèi)存與西部數(shù)據(jù)一起為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導(dǎo)體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。該工廠是一座Fab 6工廠，專門用來制造3D閃存，由東芝與西部數(shù)據(jù)合作打造，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。

發(fā)表于：2018/9/20 16:41:00