xaxwas,一区二区三区在线观看亚洲电影

AET原創(chuàng)

MLCC缺貨依然無解原廠擴產(chǎn)速度不敵市場需求增速

MLCC缺貨依然無解原廠擴產(chǎn)速度不敵市場需求增速

片式多層陶瓷電容器MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是世界上用量最大、發(fā)展最快的片式元件之一，其主要優(yōu)點為體積小、頻率范圍寬、壽命長、成本低。此前MLCC主要用于各類軍用、民用電子整機中的振蕩、耦合、濾波、旁路電路中，而現(xiàn)在其應用領域早已廣泛應用到自動控制儀表、計算機、手機、數(shù)字家電、汽車電子等行業(yè)。

發(fā)表于：10/19/2018 1:42:00 PM

FPGA的新技術新機遇——2018英特爾FPGA教師大會側(cè)記

FPGA的新技術新機遇——2018英特爾FPGA教師大會側(cè)記

??一周之內(nèi)，參加了兩場FPGA的盛會。毋庸置疑，數(shù)據(jù)中心、AI的盛行，為FPGA帶來了新的機遇和挑戰(zhàn)。不過，賽靈思CEO已經(jīng)宣稱他們不是一家FPGA芯片廠商，而是一家平臺廠商，還發(fā)布了新的平臺——ACAP。相比于對手的高調(diào)、激進，英特爾FPGA顯得相對謹慎，更多地在生態(tài)做文章而不去調(diào)整產(chǎn)品本身的架構，同時保持通用性來占領服務器加速，這個實實在在的市場。 ?兩種策略，孰是孰非，只能留待未來的市場來檢驗了。? 本文還是來講講英特爾在人才培養(yǎng)的那些事吧！

發(fā)表于：10/19/2018 7:00:00 AM

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺——Versal

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺——Versal

在賽靈思?（XDF）北京站上，賽靈思CEO Victor Peng高調(diào)宣布推出首款7nm工藝的ACAP平臺——Versal。

發(fā)表于：10/16/2018 5:02:00 PM

詳細解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關注推斷

詳細解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關注推斷

在賽靈思XDF北京站上，賽靈思發(fā)布了一系列重磅產(chǎn)品，筆者印象最深的還是其針對AI的戰(zhàn)略。

發(fā)表于：10/16/2018 3:51:00 PM

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

　　在確定第六代的WiFi協(xié)議標準的時候，有一段時間，大家都認為會是802.11ad協(xié)議。802.11ad Wi-Fi的數(shù)據(jù)吞吐量最高為4600Mbps，比當時的802.11ac快四倍。802.11ad 并非由 IEEE 發(fā)布，而是由WiGig聯(lián)盟創(chuàng)建。　　802.11ad在2009年正式宣布，然后于2011年與IEEE合作進入草案階段，最后在WiGig聯(lián)盟與WiFi聯(lián)盟在2013年合并后正式成為官方WiFi標準。

發(fā)表于：10/12/2018 11:22:00 AM

上下二十年 WiFi標準六代發(fā)展史

上下二十年 WiFi標準六代發(fā)展史

WiFi是當下人們最常用的無線局域網(wǎng)連接技術，沒有之一，多見于家居生活和公共場所中的手機、平板、筆記本設備的連接。本月4日， WiFi聯(lián)盟公布了最新的網(wǎng)絡協(xié)議新標準WiFi 6，它的標準代碼為802.11ax，這是迄今為止最新的WiFi標準，距離第一代WiFi標準的出現(xiàn)已有20余年時間。在這20年的時間里，WiFi標準經(jīng)歷六代變遷，這些標準有何不同？讓我們來看一下。

發(fā)表于：10/12/2018 11:14:00 AM

同為寬禁帶半導體材料，SiC和GaN有何不同？

同為寬禁帶半導體材料，SiC和GaN有何不同？

禁帶寬度是半導體材料的一個重要特征參量，其大小主要決定于半導體的能帶結構。禁帶越寬，意味著電子躍遷到導帶所需的能量越大，也意味著材料能承受的溫度和電壓越高，越不容易成為導體；禁帶越窄，意味著電子躍遷到導帶所需的能量越小，也意味著材料能承受的溫度和電壓越低，越容易成為導體。

發(fā)表于：10/10/2018 5:08:15 PM

需求激增 SiC晶圓市場供應不足

需求激增 SiC晶圓市場供應不足

從2016年底開始，SiC晶圓供應持續(xù)短缺。去年，來自市場的抱怨不斷。有些人預計這種情況將在2017年下半年得到緩解。但現(xiàn)在2018年已近尾聲，市場供應短缺問題仍然存在。晶圓供應，已成為2018年SiC市場增長的瓶頸之一。這種現(xiàn)狀的出現(xiàn)，主要原因有兩個：首先，從4英寸到6英寸晶圓的轉(zhuǎn)變，比供應商預期的要快得多；其次，晶圓需求的增長，也快于市場預期。

發(fā)表于：9/29/2018 5:19:06 PM

簡析第三代半導體材料發(fā)展進展

簡析第三代半導體材料發(fā)展進展

近年來，隨著功率半導體器件、工業(yè)半導體、汽車電力電子等領域的空前發(fā)展，第三代半導體材料越發(fā)凸顯其重要性與優(yōu)越性。目前發(fā)達國家都將第三代半導體材料及相關器件等的發(fā)展列為半導體重要新興技術領域。那么，什么是第三代半導體材料？

發(fā)表于：9/28/2018 11:24:27 AM

96層3D NAND閃存爭斗加劇

96層3D NAND閃存爭斗加劇

就在今天，東芝內(nèi)存與西部數(shù)據(jù)一起為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。該工廠是一座Fab 6工廠，專門用來制造3D閃存，由東芝與西部數(shù)據(jù)合作打造，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進一步提速。

發(fā)表于：9/20/2018 4:41:00 PM