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AET原創(chuàng)

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺(tái)——Versal

燃炸了！賽靈思發(fā)布首款7nm的ACAP平臺(tái)——Versal

在賽靈思?（XDF）北京站上，賽靈思CEO Victor Peng高調(diào)宣布推出首款7nm工藝的ACAP平臺(tái)——Versal。

發(fā)表于：10/16/2018 5:02:00 PM

詳細(xì)解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關(guān)注推斷

詳細(xì)解讀賽靈思的AI戰(zhàn)略——關(guān)注推斷

在賽靈思XDF北京站上，賽靈思發(fā)布了一系列重磅產(chǎn)品，筆者印象最深的還是其針對(duì)AI的戰(zhàn)略。

發(fā)表于：10/16/2018 3:51:00 PM

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

802.11ax憑什么戰(zhàn)勝了802.11ad？

　　在確定第六代的WiFi協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)候，有一段時(shí)間，大家都認(rèn)為會(huì)是802.11ad協(xié)議。802.11ad Wi-Fi的數(shù)據(jù)吞吐量最高為4600Mbps，比當(dāng)時(shí)的802.11ac快四倍。802.11ad 并非由 IEEE 發(fā)布，而是由WiGig聯(lián)盟創(chuàng)建?！　?02.11ad在2009年正式宣布，然后于2011年與IEEE合作進(jìn)入草案階段，最后在WiGig聯(lián)盟與WiFi聯(lián)盟在2013年合并后正式成為官方WiFi標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)表于：10/12/2018 11:22:00 AM

上下二十年 WiFi標(biāo)準(zhǔn)六代發(fā)展史

上下二十年 WiFi標(biāo)準(zhǔn)六代發(fā)展史

WiFi是當(dāng)下人們最常用的無(wú)線局域網(wǎng)連接技術(shù)，沒(méi)有之一，多見(jiàn)于家居生活和公共場(chǎng)所中的手機(jī)、平板、筆記本設(shè)備的連接。本月4日， WiFi聯(lián)盟公布了最新的網(wǎng)絡(luò)協(xié)議新標(biāo)準(zhǔn)WiFi 6，它的標(biāo)準(zhǔn)代碼為802.11ax，這是迄今為止最新的WiFi標(biāo)準(zhǔn)，距離第一代WiFi標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)已有20余年時(shí)間。在這20年的時(shí)間里，WiFi標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)歷六代變遷，這些標(biāo)準(zhǔn)有何不同？讓我們來(lái)看一下。

發(fā)表于：10/12/2018 11:14:00 AM

同為寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC和GaN有何不同？

同為寬禁帶半導(dǎo)體材料，SiC和GaN有何不同？

禁帶寬度是半導(dǎo)體材料的一個(gè)重要特征參量，其大小主要決定于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。禁帶越寬，意味著電子躍遷到導(dǎo)帶所需的能量越大，也意味著材料能承受的溫度和電壓越高，越不容易成為導(dǎo)體；禁帶越窄，意味著電子躍遷到導(dǎo)帶所需的能量越小，也意味著材料能承受的溫度和電壓越低，越容易成為導(dǎo)體。

發(fā)表于：10/10/2018 5:08:15 PM

需求激增 SiC晶圓市場(chǎng)供應(yīng)不足

需求激增 SiC晶圓市場(chǎng)供應(yīng)不足

從2016年底開(kāi)始，SiC晶圓供應(yīng)持續(xù)短缺。去年，來(lái)自市場(chǎng)的抱怨不斷。有些人預(yù)計(jì)這種情況將在2017年下半年得到緩解。但現(xiàn)在2018年已近尾聲，市場(chǎng)供應(yīng)短缺問(wèn)題仍然存在。晶圓供應(yīng)，已成為2018年SiC市場(chǎng)增長(zhǎng)的瓶頸之一。這種現(xiàn)狀的出現(xiàn)，主要原因有兩個(gè)：首先，從4英寸到6英寸晶圓的轉(zhuǎn)變，比供應(yīng)商預(yù)期的要快得多；其次，晶圓需求的增長(zhǎng)，也快于市場(chǎng)預(yù)期。

發(fā)表于：9/29/2018 5:19:06 PM

簡(jiǎn)析第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)展

簡(jiǎn)析第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展進(jìn)展

近年來(lái)，隨著功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)半導(dǎo)體、汽車電力電子等領(lǐng)域的空前發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料越發(fā)凸顯其重要性與優(yōu)越性。目前發(fā)達(dá)國(guó)家都將第三代半導(dǎo)體材料及相關(guān)器件等的發(fā)展列為半導(dǎo)體重要新興技術(shù)領(lǐng)域。那么，什么是第三代半導(dǎo)體材料？

發(fā)表于：9/28/2018 11:24:27 AM

96層3D NAND閃存爭(zhēng)斗加劇

96層3D NAND閃存爭(zhēng)斗加劇

就在今天，東芝內(nèi)存與西部數(shù)據(jù)一起為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導(dǎo)體工廠與內(nèi)存研發(fā)中心舉行了慶祝儀式。該工廠是一座Fab 6工廠，專門(mén)用來(lái)制造3D閃存，由東芝與西部數(shù)據(jù)合作打造，該工廠投產(chǎn)意味著東芝/西數(shù)的3D閃存產(chǎn)能進(jìn)一步提速。

發(fā)表于：9/20/2018 4:41:00 PM

走AP之路，諾行如何保持在物聯(lián)網(wǎng)細(xì)分市場(chǎng)中的靈活性？

走AP之路，諾行如何保持在物聯(lián)網(wǎng)細(xì)分市場(chǎng)中的靈活性？

物聯(lián)網(wǎng)包括四層架構(gòu)：感知層、通信層、平臺(tái)層和應(yīng)用層，“物聯(lián)天下、傳感先行”，傳感器的基石作用無(wú)需質(zhì)疑，但有了數(shù)據(jù)之后，進(jìn)一步將數(shù)據(jù)傳輸?shù)狡脚_(tái)進(jìn)行分析和應(yīng)用，通信網(wǎng)絡(luò)作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓艿?，?duì)物聯(lián)網(wǎng)來(lái)說(shuō)更是重中之重。諾行信息技術(shù)有限公司是技術(shù)領(lǐng)先的寬帶終端解決方案供應(yīng)商，專注于與運(yùn)營(yíng)商及國(guó)內(nèi)外一流品牌建立長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。在近期的上海跨國(guó)采購(gòu)會(huì)展中心的SENSOR CHINA上，諾行帶來(lái)了其寬帶終端解決方案和通信模組，諾行信息技術(shù)有限公司物聯(lián)網(wǎng)總經(jīng)理徐強(qiáng)分享了公司在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代發(fā)展的一些探索和經(jīng)驗(yàn)。

發(fā)表于：9/20/2018 11:29:00 AM

單晶硅壓力芯片玩顛覆，德?tīng)柹紫让闇?zhǔn)中國(guó)市場(chǎng)

單晶硅壓力芯片玩顛覆，德?tīng)柹紫让闇?zhǔn)中國(guó)市場(chǎng)

德?tīng)柹恢睂Ｗ⒂诠I(yè)級(jí)壓力、差壓傳感器的開(kāi)發(fā)與制造，是國(guó)內(nèi)第一家擁有自己?jiǎn)尉Ч鑲鞲衅餍酒钠髽I(yè)，填補(bǔ)了我國(guó)工業(yè)級(jí)MEMS單晶硅傳感器芯片無(wú)法自主研發(fā)與制造的空白。在近日舉辦的2018中國(guó)（上海）傳感器技術(shù)與應(yīng)用展覽會(huì)（SENSOR CHINA 2018）上，德?tīng)柹瓗?lái)了一款超小型的重量級(jí)產(chǎn)品——WET TO WET的單晶硅壓力芯片。

發(fā)表于：9/19/2018 9:52:00 PM