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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

傳感器一站式服務(wù)新標(biāo)桿感算商城開啟 “定制化”服務(wù)新紀(jì)元

在信息化、智能化技術(shù)迅猛發(fā)展的時代，傳感器作為核心元件，正以前所未有的力量驅(qū)動著智能家居、工業(yè)自動化、智慧城市及醫(yī)療健康等多個行業(yè)步入高速變革的新紀(jì)元。據(jù)權(quán)威機構(gòu)賽迪顧問預(yù)測，中國傳感器市場規(guī)模在未來三年內(nèi)將以15%的年復(fù)合增長率迅速擴大，預(yù)計到2026年將突破5547.2億元大關(guān)。

發(fā)表于：12/5/2024

三大運營商聯(lián)合發(fā)布算力路由協(xié)同推進行動計劃

12 月 5 日消息，在 11 月底的 2024 中國信息通信大會算力網(wǎng)絡(luò)算網(wǎng)一體創(chuàng)新發(fā)展論壇上，中國通信學(xué)會算力網(wǎng)絡(luò)委員會正式發(fā)布“算力路由協(xié)同推進行動計劃”。

發(fā)表于：12/5/2024

Marvell推出業(yè)界首款3nm制程PAM4光學(xué)DSP芯片Ara

12 月 4 日消息，Marvell 美滿電子美國當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出業(yè)界首款 3nm 制程 PAM4 光學(xué) DSP 芯片 Ara。該芯片可將 1.6Tbps 高速光模塊的功耗降低 20% 以上，不僅降低了運行成本還能在受限功耗下滿足 AI 工作負(fù)載對高性能光通信的需求。

發(fā)表于：12/5/2024

我國成功發(fā)射國內(nèi)首顆光-SAR 結(jié)合的新型遙感衛(wèi)星海哨一號

12 月 4 日消息，據(jù)央視新聞報道，我國今日在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心使用快舟一號甲運載火箭，成功將海哨一號衛(wèi)星發(fā)射升空，衛(wèi)星順利進入預(yù)定軌道，發(fā)射任務(wù)獲得圓滿成功。

發(fā)表于：12/5/2024

SEMI報告顯示中國大陸Q3芯片設(shè)備銷售額達(dá)129.3億美元

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）報告顯示，2024年第三季度全球芯片設(shè)備銷售額較去年同期大增19%至303.8億美元，連續(xù)兩個季度呈現(xiàn)增長，并創(chuàng)11個季度以來最大增幅。

發(fā)表于：12/5/2024

韓國成為全球首個用工業(yè)機器人取代10%勞動力的國家

12 月 4 日消息，據(jù)英國《獨立報》報道，韓國已經(jīng)成為全球首個在工業(yè)領(lǐng)域中將超過 10% 勞動力替換為機器人的國家。

發(fā)表于：12/5/2024

中國電信發(fā)布人工智能開發(fā)者產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟計劃

12 月 4 日消息，在昨日的中國電信 "2024 數(shù)字科技生態(tài)大會 " 期間，首屆 "TeleAI 開發(fā)者大會 " 在廣州舉辦。會上，TeleAI 發(fā)布視頻生成大模型、視覺大模型產(chǎn)用一體化平臺、具身智能、智傳網(wǎng)等一系列創(chuàng)新技術(shù)、產(chǎn)品及科研成果，并發(fā)布開發(fā)者產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟計劃。大會期間，TeleAI 宣布與包括華為、中興、亞信科技等在內(nèi)的 19 家合作伙伴發(fā)布中國電信人工智能開發(fā)者產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟計劃，旨在聚合各方力量，加快推動人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提升技術(shù)能力與應(yīng)用水平。

發(fā)表于：12/5/2024

國內(nèi)首款磁陽極霍爾電推進產(chǎn)品成功在軌應(yīng)用

12月4日消息，據(jù)“中國航天科技集團”官微發(fā)文，由中國航天科技集團有限公司六院801所研制的國內(nèi)首款磁陽極霍爾推力器在國際上實現(xiàn)首次飛行應(yīng)用。 11月18日～11月20日，磁陽極霍爾電推進產(chǎn)品完成首次在軌點火運行，產(chǎn)品工作正常、穩(wěn)定，各項遙測參數(shù)均在設(shè)計范圍，在軌測定性能與地面標(biāo)定數(shù)據(jù)一致，滿足總體要求。本次成功在軌飛行，有力支撐了該型產(chǎn)品的后續(xù)應(yīng)用。

發(fā)表于：12/5/2024

恩智浦計劃為客戶建立一條中國芯片供應(yīng)鏈

12月4日消息，今天，荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦與中國臺灣合作伙伴世界先進的VSMC合資公司，在新加坡動工興建一家12英寸（300mm）晶圓廠。恩智浦執(zhí)行副總裁Andy Micallef在儀式上透露，恩智浦還在努力尋找一種方式來服務(wù)那些需要中國產(chǎn)能的客戶，“我們將建立一條中國供應(yīng)鏈”。 Micallef表示，中國是世界上最大的電動汽車和電信市場，恩智浦在試圖找到一種方式，為那些需要在中國境內(nèi)生產(chǎn)能力的客戶提供服務(wù)。式成立。

發(fā)表于：12/5/2024

三星將推出400+層第10代V-NAND

12月4日消息，據(jù)Tom's hardware報道，三星將在即將舉行的國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上展示新的超過400層3D NAND Flash，接口速度為5.6 GT/s。報道稱，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三級單元，或每個單元 3 位）架構(gòu)，每個芯片的容量為1Tb（128 GB）。三星聲稱其新的超400層 3D TLC NAND Flash的存儲密度為 28 Gb/mm²，僅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存儲密度為 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。

發(fā)表于：12/5/2024