據(jù)北方華創(chuàng)官方微信公眾號消息，近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布旗下首款12英寸電鍍設(shè)備（ECP）——Ausip T830。該設(shè)備專為硅通孔（TSV）銅填充設(shè)計，主要應(yīng)用于2.5D/3D先進(jìn)封裝領(lǐng)域。該產(chǎn)品標(biāo)志著北方華創(chuàng)正式進(jìn)軍電鍍設(shè)備市場，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。

電鍍作為物理氣相沉積（PVD）的后道工藝，其設(shè)備與PVD設(shè)備協(xié)同工作，廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲、功率器件、先進(jìn)封裝等芯片制造工藝。在工藝流程中，PVD設(shè)備首先在槽/孔內(nèi)形成籽晶層，隨后電鍍設(shè)備將槽/孔填充至無空隙。隨著先進(jìn)封裝和三維集成技術(shù)的快速發(fā)展，電鍍設(shè)備的全球市場規(guī)模已達(dá)每年80-90億元人民幣，且仍在加速擴(kuò)張，預(yù)計未來幾年將突破百億大關(guān)。

北方華創(chuàng)的Ausip T830設(shè)備突破三十多項關(guān)鍵技術(shù)，展現(xiàn)了深厚技術(shù)實力。該設(shè)備采用高真空密封和電化學(xué)沉積技術(shù)，實時優(yōu)化預(yù)潤濕及電鍍參數(shù)，實現(xiàn)高深寬比TSV填充。通過優(yōu)化電場、流場和藥液濃度，使TSV內(nèi)部及邊緣的銅沉積均勻，減少缺陷，提高芯片良率和可靠性。其雙層雙腔架構(gòu)可同時處理兩片晶圓，提高產(chǎn)能，節(jié)省空間。定制氣缸和密封結(jié)構(gòu)增強(qiáng)穩(wěn)定性，降低維護(hù)成本。智能補(bǔ)液系統(tǒng)減少添加劑用量，助力綠色制造。設(shè)備支持模塊化定制和后續(xù)技術(shù)升級，滿足多樣化需求。目前，該設(shè)備的電鍍膜厚均勻性滿足客戶要求，能夠有效填充孔直徑2-12微米，孔深16-120微米的多種孔型產(chǎn)品。

北方華創(chuàng)表示，展望未來，公司將把握先進(jìn)封裝發(fā)展的機(jī)遇，持續(xù)加大研發(fā)投入，致力于打造先進(jìn)封裝領(lǐng)域的完整解決方案。同時，北方華創(chuàng)將繼續(xù)與客戶保持深度合作，共同推動先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，助力芯片產(chǎn)業(yè)邁向新高度。