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英飛凌推出用于汽車應(yīng)用的高精度無(wú)磁芯電流傳感器

德國(guó)慕尼黑 - 2021年10月27日 - 英飛凌科技股份公司推出首款汽車電流傳感器——全新XENSIV? TLE4972。這款無(wú)磁芯電流傳感器采用英飛凌久經(jīng)考驗(yàn)的霍爾技術(shù)，可用于精確和穩(wěn)定的電流測(cè)量。

發(fā)表于：10/27/2021

瑞芯微與大華股份聯(lián)合發(fā)布新一代NVR產(chǎn)品，助力安防后端市場(chǎng)智能化升級(jí)

10月28日，瑞芯微電子股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瑞芯微”）與浙江大華技術(shù)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“大華股份”）聯(lián)合發(fā)布新一代安防NVR產(chǎn)品 – 大華股份普惠智能網(wǎng)絡(luò)硬盤(pán)錄像機(jī)（NVR），助力安防后端市場(chǎng)智能化升級(jí)。

發(fā)表于：10/27/2021

智能手機(jī)如何差異化發(fā)展？聯(lián)發(fā)科有不一樣的“芯”思

當(dāng)前智能手機(jī)市場(chǎng)逐漸飽和，手機(jī)“千機(jī)一面”，愈發(fā)難以打動(dòng)消費(fèi)者，差異化發(fā)展成為突圍之路。近年手機(jī)廠商通過(guò)全面屏、屏下指紋、搶先搭載旗艦芯片的方式，形成了差異、打造了賣(mài)點(diǎn)。不過(guò)很快，手機(jī)市場(chǎng)上就充斥各種外觀相似的全面屏，功能相近的屏下指紋解鎖，以及最新旗艦級(jí)芯片。

發(fā)表于：10/27/2021

芝奇推出全新Ripjaws S5焰刃DDR5高效能內(nèi)存

10月22日，世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國(guó)際推出新世代DDR5高速內(nèi)存Ripjaws S5焰刃系列，全系列皆使用通過(guò)嚴(yán)峻測(cè)試的高質(zhì)量 IC及超高等級(jí)用料，并透過(guò)芝奇獨(dú)家研發(fā)技術(shù)，上市規(guī)格速度最高達(dá)DDR5-6000 CL36-36-36-76 2x16GB，提供絕佳的超頻性能。

發(fā)表于：10/26/2021

AndesBoardFarm提供SoC工程師透過(guò)遠(yuǎn)程在線FPGA開(kāi)發(fā)板探索RISC-V處理器

【臺(tái)灣新竹】—2021年10月21日—32及64位高效能、低功耗RISC-V處理器核心領(lǐng)導(dǎo)供貨商、RISC-V國(guó)際協(xié)會(huì)(RISC-V International)創(chuàng)始首席會(huì)員晶心科技(TWSE: 6533)，于今日宣布推出「AndesBoardFarm」，一個(gè)可以提供SoC設(shè)計(jì)人員從自己的計(jì)算機(jī)遠(yuǎn)程取得晶心FPGA開(kāi)發(fā)板及管理軟件的系列工具，讓他們能立即體驗(yàn)開(kāi)發(fā)AndesCore® RISC-V處理器。

發(fā)表于：10/26/2021

GaN市場(chǎng)的新進(jìn)展，GaN半導(dǎo)體的迅速崛起

上周,GaN功率半導(dǎo)體廠商N(yùn)avitas Semiconductor(“納微半導(dǎo)體”)成功登錄納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易市場(chǎng)。這家成立于2014年的半導(dǎo)體廠商,憑借其獨(dú)有的GaN功率集成電路技術(shù),使得其產(chǎn)品運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快20倍,并且在尺寸和重量減半的情況下可將功率和充電速度提高3倍。

發(fā)表于：10/26/2021

不需EUV光刻機(jī)也能生產(chǎn)5nm芯片，半導(dǎo)體技術(shù)迎來(lái)重大突破

如今，隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)于制造芯片的機(jī)械設(shè)備的要求也越來(lái)越高，于是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)成為半導(dǎo)體制程技術(shù)的關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備。但是，由于EUV光刻機(jī)造價(jià)高昂，每臺(tái)價(jià)格超過(guò)1億美元，并且EUV光刻機(jī)制造難度大，產(chǎn)能嚴(yán)重不足等原因，使得各大芯片生產(chǎn)公司瘋狂搶奪EUV光刻機(jī)，并且如果缺少光刻機(jī)的話，芯片的生產(chǎn)成本將大幅提高。

發(fā)表于：10/26/2021

這個(gè)傳感器，讓無(wú)創(chuàng)血糖監(jiān)測(cè)成為可能？

汗液分析并不新鮮，汗液的動(dòng)態(tài)化學(xué)成分激發(fā)了運(yùn)動(dòng)相關(guān)專家到慢性病專家去破譯其信號(hào)的。

發(fā)表于：10/26/2021

NASA的“露西號(hào)”任務(wù)可能遇到了一個(gè)太陽(yáng)能電池陣列問(wèn)題

據(jù)外媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周六，NASA在成功發(fā)射“露西號(hào)（Lucy）”有了很大的理由來(lái)慶祝，它希望用這個(gè)航天器來(lái)調(diào)查鎖定在木星軌道上的小行星。然而不到48小時(shí)后，“露西號(hào)”似乎遇到了它的第一個(gè)障礙。該航天器的兩個(gè)太陽(yáng)能電池陣列中的一個(gè)可能沒(méi)有正確地鎖定到位。

發(fā)表于：10/26/2021

董明珠“牽手”王自如，格力新手機(jī)還有未來(lái)嗎？

不少人都知道格力總裁董明珠和小米創(chuàng)始人雷軍的“十億賭約”，但很少有人知道董明珠曾在節(jié)目中放出豪言：“我要做手機(jī)，分分鐘，太容易了，我做手機(jī)肯定可以超過(guò)小米！”。

發(fā)表于：10/25/2021

iPhone SE 3爆料再起，A15+5G網(wǎng)絡(luò)或?qū)⑹菢?biāo)配！

相信有持續(xù)關(guān)注明美無(wú)限至今的果粉們應(yīng)該都知道了,iPhone 13系列發(fā)布后,給予國(guó)產(chǎn)旗艦手機(jī)的壓力相當(dāng)大,雖然說(shuō)iPhone 13的升級(jí)幅度微乎其微,但經(jīng)過(guò)降價(jià)之后,競(jìng)爭(zhēng)力迅速提升,國(guó)產(chǎn)手機(jī)難以招架,不得不說(shuō)蘋(píng)果的實(shí)力還是相當(dāng)優(yōu)秀的。

發(fā)表于：10/25/2021

中芯國(guó)際深圳擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目公示：月投12英寸晶圓4萬(wàn)片

近日，深圳市坪山區(qū)投資推廣服務(wù)署發(fā)布“關(guān)于 12 英寸晶圓代工生產(chǎn)線配套廠房項(xiàng)目遴選方案的公示”，公示顯示，項(xiàng)目意向用地單位為中芯國(guó)際集成電路制造（深圳）有限公司，將建設(shè) 12 英寸晶圓代工生產(chǎn)線所需的大宗氣站及化學(xué)品倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施，總建筑面積約 69410 平方米（以土地出讓合同為準(zhǔn)）。

發(fā)表于：10/25/2021

Vishay推出新款小型1500外形尺寸汽車級(jí)IHTH插件電感器，飽和電流達(dá)156 A

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款小型1500外形尺寸新型汽車級(jí)IHTH大電流、高溫插件電感器---IHTH-1500MZ-5A和IHTH-1500TZ-5A。這兩款電感器適于汽車應(yīng)用，Vishay Dale IHTH-1500MZ-5A（0.47 ?H~4.7 ?H）飽和電流高達(dá)156 A，DCR典型值非常低，僅為0.19 mW，IHTH-1500TZ-5A（6.8 ?H~100 ?H）飽和電流為106 A，DCR典型值低至1.1 mW。兩款電感器均可在+155 °C高溫下連續(xù)工作。

發(fā)表于：10/25/2021

貿(mào)澤開(kāi)售TE Connectivity DT-XT密封式連接器系統(tǒng)適用于要求嚴(yán)苛的商用汽車應(yīng)用

2021年10月25日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開(kāi)售連接和傳感器領(lǐng)域知名供應(yīng)商TE Connectivity （TE）的DT-XT密封式連接器系統(tǒng)。該系列是TE DEUSTCH連接器產(chǎn)品組合的一部分，采用共價(jià)鍵高性能密封材料，可在惡劣環(huán)境下工作的商用汽車中實(shí)現(xiàn)更高的柔韌性、耐用性和抗撕裂強(qiáng)度。

發(fā)表于：10/25/2021

碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制

級(jí)結(jié)技術(shù)（superjunction），利用電荷補(bǔ)償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場(chǎng)分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。但是采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的高壓功率晶體，其最大耐壓都在1000V以下。

發(fā)表于：10/25/2021