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高頻率+低功耗,QUANXING銓興DDR5強(qiáng)勢登場!

2021-10-29
來源:全球半導(dǎo)體觀察
關(guān)鍵詞: 高頻率 低功耗 QUANXING DDR5

隨著Intel第12代處理器以及Z690主板的發(fā)布,為滿足行業(yè)客戶及廣大用戶對DDR5內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)用的期待,國產(chǎn)半導(dǎo)體存儲企業(yè)銓興科技將于近期正式發(fā)售DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

▋▏5 限可能,“銓興”世代

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新超越 頻率4800MHz起,性能秒翻倍

QUANXING銓興DDR5存儲模組采用鎂光(Micron)最新1znm 16Gb DDR5顆粒,相比DDR4內(nèi)存,DDR5擁有更高的起步頻率,標(biāo)準(zhǔn)頻率從DDR4 3200MHz提升至4800MHz,直接沖破DDR4的性能天花板。

新低耗 電壓降至1.1V,功耗降低8%

DDR5的供電模塊也從系統(tǒng)主機(jī)板移到了DDR5內(nèi)存條上。加入電源管理芯片PMIC,調(diào)節(jié)電源紋波、電壓和上下電時序,達(dá)到更穩(wěn)定和更加省電的效果。同時,僅1.1V的工作電壓,可以達(dá)到降低發(fā)熱量和省電的效果。

新功能 On-die ECC糾錯功能

DDR5 DRAM 為每128位數(shù)據(jù)設(shè)置8位的ECC存儲空間,使得On-die ECC 具有強(qiáng)大的RAS功能,可以保護(hù)存儲器陣列免受單個數(shù)位錯誤的影響。

新架構(gòu),單條內(nèi)存即可實(shí)現(xiàn)雙通道

DDR5內(nèi)存顆粒提供比DDR4的Banks與Bank Groups的2倍數(shù)量,以此來增加內(nèi)存顆粒的容量大??;另DDR5的Bust Length(內(nèi)存單個讀寫指令可存取的數(shù)據(jù)量)也為DDR4的兩倍。

新容量 最大支持128GB

根據(jù)JEDEC規(guī)范,單條內(nèi)存容量從16GB開始,最高可達(dá)單只128GB可選。

正所謂十年磨一劍,隨著Intel12代酷睿處理器的即將發(fā)布,陪伴我們多年的DDR4內(nèi)存也迎來了升級換代,將迎來DDR5的時代。

根據(jù)JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) DDR5 SDRAM 的最終規(guī)范,相比DDR4內(nèi)存,DDR5擁有更高的起步頻率,同時電壓更低,數(shù)據(jù)預(yù)取更大。

(DDR4對比DDR5)

銓興科技目前已準(zhǔn)備好批量生產(chǎn)DDR5內(nèi)存產(chǎn)品,為了保證產(chǎn)品的兼容性,目前只需等待支援DDR5的主流平臺零售版本正式售賣,銓興科技在完成產(chǎn)品的兼容性測試后,即面向消費(fèi)者開售。

DDR5重新定義新標(biāo)準(zhǔn),隨著技術(shù)的持續(xù)導(dǎo)入,銓興科技將陸續(xù)推出更多的DDR5產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù),為行業(yè)和消費(fèi)者帶來無限可能。

深圳市銓興科技有限公司是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品解決方案商,提供從芯片封裝、測試、產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)到全球銷售的一站式服務(wù)。同時涵蓋DRAM和NAND Flash兩大領(lǐng)域,旗下設(shè)有香港、臺灣國際出貨平臺、銓天智能制造基地。

公司引進(jìn)全球高端人才與國內(nèi)知名高校學(xué)者共同組建研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì),創(chuàng)立自主國產(chǎn)品牌“QUANXING銓興”,產(chǎn)品和服務(wù)包括存儲芯片封測服務(wù)、DRAM內(nèi)存模組、SSD固態(tài)硬盤、數(shù)碼存儲卡、U盤以及客制化服務(wù)等。




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