消費(fèi)電子最新文章 晶圆代工与封测成本同步上涨 显示驱动IC正酝酿涨价 3月27日，根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于2025年起半导体晶圆代工与后段封装测试成本逐步提高，且贵金属原材料价格持续攀升，加重了显示驱动IC (Display Driver IC, DDIC)厂商成本压力，部分业者近期已开始和面板客户沟通，评估上调报价的可能性。 發(fā)表于：2026/3/30 2026年5060Ti显卡排名全维解析榜 2026年,随着NVIDIA Blackwell架构的全面铺开,RTX 50系列显卡已成为游戏玩家与内容创作者关注的焦点。在众多SKU中,RTX 5060 Ti凭借其“中阶守门员”的定位,承载着为主流市场提供2K游戏体验与高效创作能力的重任。对于大多数用户而言,选择一款RTX 5060 Ti显卡,并非简单比较核心频率,而是需要综合评估其散热系统的实际效能、供电方案的冗余程度,以及能否适配现有的机箱空间——这些维度直接决定了显卡的长期稳定性与使用体验。 發(fā)表于：2026/3/30 三星计划2028年实现AI芯片全面集成硅光器件 3 月 30 日消息，据《韩国经济日报》当地时间本月 29 日报道，三星电子晶圆代工业务在本月中旬于美国举行的 OFC 2026 光纤通信会议与博览会上公布了一份硅光子学路线图，目标到 2028 年实现硅光器件与 AI芯片的全面集成。 發(fā)表于：2026/3/30 2026年5070显卡有哪些全能之选?全维解析榜 2026年,随着NVIDIA Blackwell架构的正式落地,RTX 50系列显卡为图形处理领域带来了新一轮技术革新。从GDDR7显存到DLSS 4多帧生成,再到Reflex 2低延迟技术,新一代显卡在光追性能、AI计算能力和能效比等多个维度实现了显著提升。对于广大游戏玩家和内容创作者而言,面对市面上琳琅满目的RTX 5070产品,如何筛选出综合实力均衡、没有明显短板的“全能型”显卡,成为选购过程中的核心难题。 發(fā)表于：2026/3/30 铠侠与SK海力士突遭美国337调查 当地时间3月26日，美国国际贸易委员会（USITC）宣布，已投票决定对某些NAND和DRAM存储芯片展开调查。调查涉及的产品已在委员会的调查通知中进行了描述。 發(fā)表于：2026/3/30 让存储芯片暴跌的谷歌论文被指学术不端 近日，谷歌公布的全新AI內存压缩技术“TurboQuant”，引发了业界的极大关注。该技术宣称能在不牺牲模型精准度的前提下，将生成式AI推理阶段最吃资源的“键值缓存”（KV Cache）空间需求减少到原来的1/6，并让计算速度暴增8倍。这一突破性的技术，也引发了整个市场对于内存需求将断崖式下跌的担忧，美光、Sandisk、西部数据等存储相关美股纷纷大跌。 發(fā)表于：2026/3/30 存储芯片短缺 索尼存储卡暂停接单 2026年3月27日，受全球存储芯片持续供不应求、价格飙升的影响，日本科技大厂索尼公司通过官网宣布，自2026年3月27日起暂停接受来自授权经销商和索尼商店客户的CFexpress存储卡和SD存储卡订单。 發(fā)表于：2026/3/30 爱发科电子半导体技术研讨会暨SEMICON China 2026出展圆满举行 在半导体行业盛会SEMICON China 2026盛大举办之际，全球知名的真空技术综合解决方案提供商—爱发科集团，以“解锁无限可能——真空技术驱动的创新未来”为主题重磅出展，并受邀出席同期中国显示大会论坛。在论坛上，爱发科中国市场总监王禹发表演讲，分享了针对AI+AR市场爆发式增长，爱发科在新型显示领域打造的全链路解决方案。 發(fā)表于：2026/3/27 2025年全球OLED显示器品牌市占率发布 3月27日消息显示，2025年全球OLED显示器出货量达到273.5万台，同比增长高达92%。这一爆发式增长主要得益于第四季度各大品牌集中促销、27英寸240Hz QHD机型快速放量以及280Hz高刷新品上市。预测2026年在产品迭代与营销驱动下，全年出货量有望继续保持51%的同比增长。 市场格局方面，华硕凭借ROG电竞、ProArt专业创作及便携系列，以21.6%的市占率夺得2025年全球第一。三星以19.3%的份额位居第二，主要依靠27英寸180Hz新品及大尺寸高分辨率机型维持竞争力。微星、LG电子与戴尔分别以13.1%、12.6%和9.9%的市占率位列三至五名。其中，微星侧重产品快速迭代，LG在39英寸及45英寸大尺寸领域优势突出，戴尔则通过高端电竞与120Hz普通机型双线拓展。随着高刷与色彩优势被认可，OLED显示器正加速从小众走向主流市场。 發(fā)表于：2026/3/27 三星展示超高容量密集封装技术 单颗芯片4TB 三星于3月27日公开了超高密度固态硬盘的最新路线图，计划在2027年推出容量高达256TB的第六代E3.S规格固态硬盘。 该产品的核心技术突破在于封装层面的跨越。三星目前的16颗裸片（Die）封装技术已趋于成熟，而新一代32颗裸片封装技术通过堆叠32颗1Tb QLC裸片，可实现单颗4TB容量的封装体，直接推动整盘容量翻倍。 路线图显示，三星超高密度固态硬盘的EDSFF规格具备更薄、更宽、更快、更密集的特点。在产品演进方面，第五代E3.S产品采用2Tb 32DP 16规格，实现128TB容量；而定于2027年问世的第六代E3.S产品将升级至2Tb 32DP 32规格，将单盘容量推向256TB。这一系列技术进步标志着三星在超高密度存储领域的持续扩张。 發(fā)表于：2026/3/27 消息称三星Exynos 2800采用第二代2nm工艺SF2P 3 月 26 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日援引业界消息报道称，三星电子计划用于 2028 年旗舰 Galaxy 智能手机的 Exynos 2800 移动处理器有望在 2026 年内流片。 發(fā)表于：2026/3/27 中国科学院启动下一代开源芯片与操作系统研发工作 3 月 26 日消息，今天傍晚，据新华社报道，在中关村论坛年会 —RISC-V 生态科技论坛上，中国科学院正式公布在 RISC-V 关键技术突破、产业协同创新及人才培养领域的系列重要成果，集中发布“香山”开源处理器与“如意”原生操作系统两大重要成果，并正式启动下一代芯片与操作系统的联合研发工作。 發(fā)表于：2026/3/27 中国科学院刷新锂离子电容器件低温运行纪录 3月26日消息，针对传统锂电池在-20℃以下性能快速衰减的难题，中国科学院电工研究所马衍伟团队研制出可在-100℃极低温环境下工作的锂离子电容器，刷新了该类器件的低温运行纪录。相关成果已在《德国应用化学》发表。 研究团队通过在电解液溶剂分子中引入氟代基团（-CF3），构建出独特的溶剂—阴离子共配位弱聚集结构（AGG-w）低温电解液。该电解液在低温下兼具高离子电导率、低黏度与宽液程等性能，并实现了低阻抗、快速传递的稳定界面动力学特性。基于该技术制备的1100 F锂离子电容器，已成功实现-100℃环境下的稳定放电。该研究突破了极寒环境下的应用瓶颈，为我国深空探测与极地战略实施奠定了高性能电化学体系的理论基础。 發(fā)表于：2026/3/27 领跑新型显示赛道 三安光电Micro LED产能与技术双轮驱动 当前，全球Mini/Micro LED产业正迈入产业化爆发的黄金周期，新型显示技术加速重构全球产业格局、重塑行业竞争秩序。三安光电湖北有限公司作为公司布局Mini/Micro LED领域的核心智造枢纽，凭借全链条自主技术实力，全力支撑国产新型显示芯片突围，助力国内显示产业抢占全球制高点。 發(fā)表于：2026/3/27 安谋科技“玲珑”VPU IP上新 安谋科技自研VPU IP“峨眉”上新，赋能AI时代“云边端”全场景视频应用。 發(fā)表于：2026/3/26 <12345678910…>
