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穩(wěn)壓芯片詳談(五)，ADP2381穩(wěn)壓芯片過(guò)壓保護(hù)介紹

穩(wěn)壓芯片在眾多器件中均有所應(yīng)用，對(duì)于穩(wěn)壓芯片，小編曾帶來(lái)諸多文章，如穩(wěn)壓芯片發(fā)展前景、7805穩(wěn)壓芯片的介紹等。本文對(duì)于穩(wěn)壓芯片的介紹，主要在于介紹ADP2381穩(wěn)壓芯片的過(guò)壓保護(hù)。如果你對(duì)本文涉及的穩(wěn)壓芯片相關(guān)內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

發(fā)表于：1/16/2020

穩(wěn)壓芯片詳談(六)，穩(wěn)壓芯片工作機(jī)理+LDO穩(wěn)壓芯片簡(jiǎn)介

穩(wěn)壓芯片的作用眾所周知，但穩(wěn)壓芯片究竟是如何工作的呢?想必有些朋友未必知道。在本文中，小編將對(duì)穩(wěn)壓芯片的工作機(jī)理、穩(wěn)壓芯片的注意事項(xiàng)以及LDO穩(wěn)壓芯片加以介紹。如果你對(duì)本文涉及的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

發(fā)表于：1/16/2020

同步關(guān)鍵的分布式系統(tǒng)時(shí)，新型Σ-Δ ADC架構(gòu)可避免中斷的數(shù)據(jù)流

　　本文介紹了基于SAR ADC的系統(tǒng)和基于sigma-delta (∑-Δ) ADC的分布式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)同步的傳統(tǒng)方法，且探討了這兩種架構(gòu)之間的區(qū)別。我們還將討論同步多個(gè)Σ-Δ ADC時(shí)遇到的典型不便。最后，提出一種基于AD7770采樣速率轉(zhuǎn)換器(SRC)的創(chuàng)新同步方法，該方法顯示如何在不中斷數(shù)據(jù)流的情況下，在基于Σ-Δ ADC的系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)同步。

發(fā)表于：1/13/2020

2019年純晶圓代工市場(chǎng)，中國(guó)風(fēng)景獨(dú)好

中國(guó)無(wú)晶圓廠IC廠商的興起為晶圓代工提供了更多的機(jī)會(huì)。隨著過(guò)去10年中國(guó)無(wú)晶圓廠IC公司（例如海思半導(dǎo)體）的興起，對(duì)代工服務(wù)的需求也有所增長(zhǎng)。下圖顯示，中國(guó)市場(chǎng)是去年唯一的純晶圓代工銷(xiāo)售增長(zhǎng)的地區(qū)。歐洲和日本的純晶圓代工市場(chǎng)在2019年均呈現(xiàn)兩位數(shù)的下滑。

發(fā)表于：1/13/2020

中國(guó)華電集團(tuán)首批4個(gè)競(jìng)配光伏項(xiàng)目全部成功并網(wǎng)發(fā)電

華電寧東光伏項(xiàng)目、貴州赫章項(xiàng)目、斗古項(xiàng)目、黑土河項(xiàng)目，由國(guó)電南自以EPC模式總承包建設(shè)，總承包事業(yè)部全面負(fù)責(zé)工程執(zhí)行。

發(fā)表于：1/11/2020

5nm后的晶體管選擇：IBM談nanosheet的新進(jìn)展

IBM和Leti在IEDM上分別發(fā)表了幾篇論文，其中包括聯(lián)合納米片論文。我有機(jī)會(huì)與IBM高級(jí)邏輯與內(nèi)存技術(shù)總監(jiān)Huiming Bu和IBM高級(jí)工程師Veeraraghavan Basker一起坐下來(lái)聊聊，同時(shí)還采訪了Leti的高級(jí)CMOS實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Francois Andrieu和流程與集成工程師Shay Reboh，一起談及了他們的工作。

發(fā)表于：1/10/2020

具可編程補(bǔ)償功能的高效率、高密度 PSM μModule 穩(wěn)壓器

　　FPGA 開(kāi)發(fā)板、以及原型設(shè)計(jì)、測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要多功能高密度電源解決方案。LTM4678是一款具有數(shù)字電源系統(tǒng)管理 (PSM) 功能的 16 mm x 16 mm 小尺寸雙路 25 A 或單路 50 A Module 穩(wěn)壓器。該器件具有：

發(fā)表于：1/9/2020

改造中國(guó)工廠：工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)硬核來(lái)襲，如何解中國(guó)制造之痛

中國(guó)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展路徑，受益亦受限于自身工業(yè)發(fā)展水平和互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展現(xiàn)狀，既擁有市場(chǎng)規(guī)模巨大、市場(chǎng)需求多元、模式百花齊放等諸多優(yōu)勢(shì)，也面臨諸多挑戰(zhàn)；而政府與市場(chǎng)如何真正形成合力，亦有待進(jìn)一步求解。

發(fā)表于：1/8/2020

CANFD電磁兼容性能分析及改善方案

　　摘要：CAN總線技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，但是由于在工業(yè)設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，電磁干擾較為嚴(yán)重，保證CAN總線的正常通信尤為重要。本文將介紹搭配高速CAN FD收發(fā)器的總線網(wǎng)絡(luò)電磁干擾的原因分析，及提出的具體改善方案。　　一、CAN FD網(wǎng)絡(luò)下電磁兼容分析　　在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，電磁兼容EMC性能對(duì)系統(tǒng)的影響非常大，關(guān)系到其能正常穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。世界上已經(jīng)開(kāi)始對(duì)電子產(chǎn)品的電磁兼容性做強(qiáng)制性限制，電磁兼容性能已經(jīng)成為產(chǎn)品性能的一個(gè)重要指標(biāo)。　　電磁兼容主要有兩方面的內(nèi)容，一個(gè)是產(chǎn)品本身對(duì)外界產(chǎn)生不良的電磁干擾影響，稱(chēng)為電磁干擾發(fā)射EMI；另一個(gè)是對(duì)外界電磁信號(hào)的敏感程度稱(chēng)為電磁敏感度EMS。干擾源、相合途徑及敏感設(shè)備是電磁兼容的三要素，缺一不可。電磁兼容的詳細(xì)內(nèi)容如圖1所示。

發(fā)表于：1/8/2020

貿(mào)澤攜手Maxim共同舉辦工業(yè)應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)巡回研討會(huì)

2020年1月8日－專(zhuān)注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布將舉辦“貿(mào)澤電子創(chuàng)新技術(shù)論壇暨M(jìn)axim 工業(yè)應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)巡回研討會(huì)”。本次巡回研討會(huì)已在全國(guó)多個(gè)城市成功召開(kāi)，2020年第一場(chǎng)活動(dòng)于今天落戶(hù)東莞。貿(mào)澤攜手多位Maxim技術(shù)專(zhuān)家?guī)?lái)行業(yè)主題分享，內(nèi)容包括工業(yè)通信接口方案、工業(yè)電源與保護(hù)技術(shù)方案、面向工業(yè)應(yīng)用的模擬信號(hào)鏈路分析、安全芯片在工業(yè)中應(yīng)用等，為到場(chǎng)人員帶來(lái)不一樣的知識(shí)收獲和技術(shù)提升。

發(fā)表于：1/8/2020

“如果沒(méi)壞，就不要修理?！闭{(diào)節(jié)固定增益差分放大器的增益

　　經(jīng)典的四電阻差分放大器可以解決許多測(cè)量難題。但是，總有一些應(yīng)用需要的靈活性比這些放大器所能提供的更高。由于在差分放大器中電阻匹配直接影響到增益誤差和共模抑制比(CMRR)，所以將這些電阻集成到同一個(gè)裸片上可以實(shí)現(xiàn)高性能。但是，僅僅依靠?jī)?nèi)部電阻來(lái)設(shè)置增益，用戶(hù)就無(wú)法在制造商的設(shè)計(jì)選擇之外靈活選擇自己想要的增益。

發(fā)表于：1/7/2020

Trinamic推出電池供電直流電動(dòng)機(jī)的智能驅(qū)動(dòng)器IC

Trinamic的TMC7300是公司的第二個(gè)用于低壓應(yīng)用的IC。具有基于UART的扭矩和速度控制功能的電源驅(qū)動(dòng)器，可以用2(1.8)…11V直流電驅(qū)動(dòng)最多兩個(gè)直流電機(jī)。

發(fā)表于：1/7/2020

MiR自主移動(dòng)機(jī)器人發(fā)布AMR部署安全指南更安全的人機(jī)協(xié)作內(nèi)部物流新時(shí)代即將到來(lái)

　　中國(guó) 上海 – 2020年1月6日 – 丹麥發(fā)展最快的機(jī)器人制造商以及移動(dòng)機(jī)器人全球市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者——Mobile Industrial Robots <http://www.mobile-industrial-robots.com/en/>（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：MiR），近期發(fā)布了《移動(dòng)機(jī)器人部署安全指南》白皮書(shū)，為自主移動(dòng)機(jī)器人在多領(lǐng)域的安全使用提供了前瞻性的指導(dǎo)建議，這也預(yù)示著一個(gè)能真正確保人機(jī)安全協(xié)作的嶄新時(shí)代即將到來(lái)。

發(fā)表于：1/6/2020

三星官宣首款3nm GAAFET芯片或2021年前量產(chǎn)

據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)》雜志報(bào)道，三星電子已成功研發(fā)出首款3nm工藝芯片，基于全柵極（GAAFET）技術(shù)。與三星使用FinFET工藝研發(fā)的5nm芯片相比，3nm芯片的總硅片面積減少35%，功耗降低50%，性能提高30%

發(fā)表于：1/6/2020

三星計(jì)劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在考慮用3nm工藝制造芯片，三星實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人李在镕在參觀位于京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心時(shí)，特地探討了圍繞3nm的半導(dǎo)體戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/3/2020