10月28日消息，據韓國媒體TheElec報道，韓國存儲芯片大廠SK海力士已經在新晶圓廠M15X中安裝首批設備，比原定計劃提前了兩個月。

報道稱，SK海力士M15X晶圓廠原本預計于12月開始設備進場，而比原計劃更早提前執(zhí)行可能是為了擴大高帶寬存儲（HBM）產能擴張的步伐。

此前資料顯示，SK海力士為興建M15X晶圓廠投入超過20萬億韓元，該廠位于M15附近，并專注于生產1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片。消息人士透露，M15X初期月產能為3.5萬片晶圓，未來預計可擴大至5.5萬至6萬片。

SK海力士自去年底開始為該廠預定設備，部分韓國利川廠區(qū)的DRAM員工已調往忠州新廠，協助安裝設備并進行量產準備。

M15X擁有比現有廠房更大的無塵室，因為HBM制程需要比傳統DRAM更高的空間與設備容量。 消息人士表示，除了M15X外，SK海力士也正同步籌備龍仁新廠以及美國印第安納州的先進封裝廠。

值得一提的是，SK海力士上個月已宣布完成HBM4的開發(fā)，并已準備好量產。