7月1日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，美國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）近日詳細(xì)介紹了其不久前宣布的對(duì)美國(guó)投資2000億美元的投資計(jì)劃。

在今年6月12日，美光就宣布，其計(jì)劃將在美國(guó)的存儲(chǔ)制造投資擴(kuò)大到約 1500 億美元，研發(fā)投資也將擴(kuò)大到 500 億美元，從而創(chuàng)造約 90,000 個(gè)直接和間接工作崗位。

其中，1500億美元的投資包括：在愛(ài)達(dá)荷州博伊西建造第二家領(lǐng)先的內(nèi)存工廠；擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現(xiàn)有制造工廠并對(duì)其進(jìn)行現(xiàn)代化改造；位于紐約的多達(dá)四家領(lǐng)先的大批量晶圓廠；并將先進(jìn)的HBM封裝能力引入美國(guó)，以實(shí)現(xiàn)對(duì) AI 市場(chǎng)至關(guān)重要的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 的長(zhǎng)期增長(zhǎng)。此外，美光宣布計(jì)劃投資 500 億美元提升美國(guó)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片技術(shù)研發(fā)，再次鞏固其作為全球內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的長(zhǎng)期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預(yù)期的市場(chǎng)需求，保持美光的市場(chǎng)份額，并支持美光在美國(guó)生產(chǎn) 40% 的 DRAM 的目標(biāo)。

根據(jù)美光最新公布的信息顯示，該投資計(jì)劃的第一部分涉及在愛(ài)達(dá)荷州博伊西附近建造世界上最大、最先進(jìn)的 DRAM 生產(chǎn)設(shè)施之一，現(xiàn)在稱(chēng)為 Fab ID1。一旦完全配備生產(chǎn)設(shè)備，ID1 的潔凈室面積將達(dá)到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。這大約是 GlobalFoundries 的 Fab 8 潔凈室產(chǎn)能的兩倍，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星和 SK 海力士在韓國(guó)運(yùn)營(yíng)的大型晶圓廠相當(dāng)。

美光在愛(ài)達(dá)荷州的Fab ID1 將于 2025 年 6 月達(dá)到了一個(gè)關(guān)鍵的建設(shè)里程碑，預(yù)計(jì)將于 2027 年下半年開(kāi)始生產(chǎn)晶圓，此后將獲得客戶資格認(rèn)證。愛(ài)達(dá)荷州的第二座晶圓廠Fab ID2 將建在ID1附近，受益于共享基礎(chǔ)設(shè)施和研發(fā)共址。美光預(yù)計(jì)Fab ID2 將在紐約工廠之前投入生產(chǎn)，盡管該公司沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明確切的時(shí)間。

雖然美光在愛(ài)達(dá)荷州的Fab ID2 廠破土動(dòng)工，ID1 也預(yù)計(jì)將在幾年內(nèi)開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，但該公司仍在努力推動(dòng)位于紐約的多達(dá)四家領(lǐng)先的大批量晶圓廠的計(jì)劃。美光計(jì)劃在完成聯(lián)邦和州環(huán)境審查后，到 2025 年底開(kāi)始其紐約工廠的地基工作。美光的紐約計(jì)劃比愛(ài)達(dá)荷州的計(jì)劃更加雄心勃勃，因?yàn)樗婕八膫€(gè)晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米）。雖然尚未宣布該工廠的具體生產(chǎn)時(shí)間表，但很明顯，該工廠是美光長(zhǎng)期戰(zhàn)略努力的一部分，旨在建立強(qiáng)大的美國(guó)國(guó)內(nèi)制造足跡，以支持商業(yè)和國(guó)家計(jì)算需求。

除了建造全新的晶圓廠外，美光還將擴(kuò)建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。目前，該工廠生產(chǎn)用于汽車(chē)、航空航天、國(guó)防和工業(yè)應(yīng)用的存儲(chǔ)芯片。升級(jí)后，該晶圓廠將獲得在美國(guó)組裝 HBM 內(nèi)存堆棧的產(chǎn)能和先進(jìn)封裝能力。然而，美光只有在愛(ài)達(dá)荷州博伊西的晶圓廠在美國(guó)提高 DRAM 晶圓的產(chǎn)量后，才會(huì)為其弗吉尼亞工廠增加 HBM 能力。也就是說(shuō)，預(yù)計(jì)美光將在美國(guó)制造 HBM5 或 HBM6。

“作為這項(xiàng) 2000 億美元投資計(jì)劃的一部分，美光計(jì)劃[...]在我們?cè)诿绹?guó)業(yè)務(wù)中建立了足夠的 DRAM 晶圓規(guī)模后，將先進(jìn)封裝能力到美國(guó)，以支持我們的長(zhǎng)期 HBM 增長(zhǎng)計(jì)劃，“美光首席執(zhí)行官兼董事長(zhǎng) Sanjay Mehrotra 說(shuō)。