《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片

紅旗碳化硅功率芯片完成首次流片

實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開發(fā)
2024-10-24
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 紅旗 碳化硅 功率芯片 全鏈條

10 月 23 日消息,一汽紅旗昨日宣布,由研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。

0.png

該款碳化硅功率芯片從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義、襯底與外延材料選擇、元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、動(dòng)靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設(shè)計(jì)、晶圓流片到晶圓封測(cè),實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開發(fā)。

官方表示,該款芯片聚焦整車電驅(qū)動(dòng)、智慧補(bǔ)能、車載電源、高壓配電、電動(dòng)化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求,創(chuàng)新采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù),實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過 1200V,導(dǎo)通電阻小于 15mΩ,力求在效率、可靠性、集成化及標(biāo)準(zhǔn)化方面實(shí)現(xiàn)均衡設(shè)計(jì)。


Magazine.Subscription.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。