《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > EDA與制造 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星:已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗(yàn)證

三星:已完成16層混合鍵合HBM內(nèi)存驗(yàn)證

整體高度縮減
2024-04-09
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 三星 HBM內(nèi)存

據(jù)媒體報(bào)道,三星電子高管近日透露,該公司完成了采用16層混合鍵合 HBM 內(nèi)存技術(shù)驗(yàn)證,已制造出基于混合鍵合技術(shù)的16層堆疊HBM3內(nèi)存樣品,該內(nèi)存樣品工作正常,未來(lái)16層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。

混合鍵合技術(shù),作為新型的內(nèi)存鍵合方式,相較于傳統(tǒng)工藝,展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。

它摒棄了DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的繁瑣步驟,通過(guò)銅對(duì)銅的直接連接方式實(shí)現(xiàn)層間連接,從而大大提高了工作效率。

這種創(chuàng)新不僅顯著提升了信號(hào)傳輸速率,更好地滿足了AI計(jì)算對(duì)高帶寬的迫切需求,而且有效降低了DRAM層間距,使得HBM模塊的整體高度得到顯著縮減,進(jìn)一步提升了其集成度和便攜性。

盡管混合鍵合技術(shù)的成熟度和應(yīng)用成本一直是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn),但三星電子通過(guò)多元化的策略,積極應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。在推進(jìn)混合鍵合技術(shù)研究與應(yīng)用的同時(shí),公司還同步開(kāi)發(fā)傳統(tǒng)的TC-NCF工藝,以實(shí)現(xiàn)技術(shù)多樣化,降低風(fēng)險(xiǎn),并增強(qiáng)整體競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)悉,三星設(shè)定的目標(biāo)是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以?xún)?nèi),這將進(jìn)一步提升HBM4的性能和可靠性,為未來(lái)的計(jì)算應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

業(yè)內(nèi)專(zhuān)家對(duì)此表示,三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術(shù)方面的突破,無(wú)疑將有力推動(dòng)HBM內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展,為未來(lái)的計(jì)算應(yīng)用提供更為強(qiáng)大的內(nèi)存支持。


雜志訂閱.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。