韓媒 etnews 近日報道稱 SK 海力士將于今年引入 8 臺 EUV 光刻機，推動 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品的技術(shù)演進。

SK 海力士現(xiàn)有 5 臺光刻機。到今年末，若加上韓媒報道中稱的 8 臺，其擁有的 EUV 光刻機總數(shù)將達 13 臺，較年初翻倍有余，大幅提升 EUV 曝光能力。

SK 海力士于第四代 10 納米級制程 ——1anm 制程中首次引入 EUV 光刻，當時僅在 1 個步驟中使用；而來到目前的 1bnm 節(jié)點中，EUV 使用步驟提升到 4 個；至于正在研發(fā)的 1cnm 工藝，據(jù) etnews 透露，EUV 使用量將進一步提升至 6 個步驟。

SK 海力士于去年 5 月完成了 1bnm 制程服務(wù)器內(nèi)存的技術(shù)研發(fā)，并宣布計劃于今年上半年將這一先進工藝擴展到 LPDDR5T 和 HBM3E 等移動 / AI 服務(wù)器領(lǐng)域熱門 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品中，這也增加了對 EUV 曝光的需求。此外曲線升級無錫工廠產(chǎn)能至 1anm 也將增加 SK 海力士在韓國本土的 EUV 用量。

采用 EUV 的 SK 海力士 1bnm DDR5 內(nèi)存條

SK 海力士今年計劃在半導體設(shè)備領(lǐng)域投資 5.3 萬億韓元（IT之家備注：當前約 286.73 億元人民幣）。etnews 稱新 EUV 設(shè)備總共價值約 2 萬億韓元，預計將占到整體設(shè)備投資的近四成。

etnews 就 EUV 設(shè)備引進計劃向 SK 海力士發(fā)言人尋求回應(yīng)，發(fā)言人表示“無法確認公司設(shè)備投資情況”。