韓媒 etnews 近日?qǐng)?bào)道稱 SK 海力士將于今年引入 8 臺(tái) EUV 光刻機(jī)，推動(dòng) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品的技術(shù)演進(jìn)。

SK 海力士現(xiàn)有 5 臺(tái)光刻機(jī)。到今年末，若加上韓媒報(bào)道中稱的 8 臺(tái)，其擁有的 EUV 光刻機(jī)總數(shù)將達(dá) 13 臺(tái)，較年初翻倍有余，大幅提升 EUV 曝光能力。

SK 海力士于第四代 10 納米級(jí)制程 ——1anm 制程中首次引入 EUV 光刻，當(dāng)時(shí)僅在 1 個(gè)步驟中使用；而來(lái)到目前的 1bnm 節(jié)點(diǎn)中，EUV 使用步驟提升到 4 個(gè)；至于正在研發(fā)的 1cnm 工藝，據(jù) etnews 透露，EUV 使用量將進(jìn)一步提升至 6 個(gè)步驟。

SK 海力士于去年 5 月完成了 1bnm 制程服務(wù)器內(nèi)存的技術(shù)研發(fā)，并宣布計(jì)劃于今年上半年將這一先進(jìn)工藝擴(kuò)展到 LPDDR5T 和 HBM3E 等移動(dòng) / AI 服務(wù)器領(lǐng)域熱門(mén) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品中，這也增加了對(duì) EUV 曝光的需求。此外曲線升級(jí)無(wú)錫工廠產(chǎn)能至 1anm 也將增加 SK 海力士在韓國(guó)本土的 EUV 用量。

采用 EUV 的 SK 海力士 1bnm DDR5 內(nèi)存條

SK 海力士今年計(jì)劃在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域投資 5.3 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 286.73 億元人民幣）。etnews 稱新 EUV 設(shè)備總共價(jià)值約 2 萬(wàn)億韓元，預(yù)計(jì)將占到整體設(shè)備投資的近四成。

etnews 就 EUV 設(shè)備引進(jìn)計(jì)劃向 SK 海力士發(fā)言人尋求回應(yīng)，發(fā)言人表示“無(wú)法確認(rèn)公司設(shè)備投資情況”。