真是逆天了，清華大學(xué)搞出了一個EUV光源方案，震驚了所有人。

最近幾天，隨著華為Mate 60的問世，麒麟9000S的熱度居高不下，國內(nèi)外各種機構(gòu)、個人都在拆解分析這顆芯片，得出的結(jié)論也比較多。但不管真相如何，這顆芯片使用的必然不是最先進(jìn)的工藝制程，但卻獲得了不俗的性能表現(xiàn)，這也讓很多人十分意外，也證明了華為的芯片設(shè)計方面的能力。

那么隨著這次的突破，大家紛紛猜測，是不是國產(chǎn)光刻機也有了大進(jìn)展。隨后，關(guān)于國產(chǎn)DUV光刻機和EUV光刻機的也就傳聞越來越多。目前來看，可以總結(jié)為，DUV很快就會交付使用，EUV快的話是明年。是不是非常值得期待呢？

不過大家也別著急，勁爆的消息還有很多，例如就在剛剛，突然傳出消息，清華大學(xué)正在搞一個新的EUV光源方案，他就是SSMB-EUV光源，我們先來簡單說說這個是什么意思。

大家看圖，感覺是一個環(huán)形跑道對吧，這就是它的特別之處，200米長，20米寬，也就是大。

我們都知道，ASML的EUV光刻機的光源是小型化的產(chǎn)品，因為光刻機是用來銷售的，涉及到運輸環(huán)節(jié)，所以決定了它的整機尺寸不能太大。而我們不需要考慮外觀尺寸的問題，能滿足需求即可。

清華大學(xué)的這個SSMB-EUV光源，功率達(dá)到了10千瓦，是ASML EUV光源250瓦功率的40倍，能夠同時支持?jǐn)?shù)十臺光刻機，換句話說，一個大型的EUV光刻機工廠出現(xiàn)了。想象那個畫面，都挺美好的。對此，有網(wǎng)友評論的非常有趣，由步槍變成了機關(guān)槍，還有網(wǎng)友說這哪是光刻機，這是光刻炮??！

這個大型裝置首先是利用高重頻微波電子槍產(chǎn)生一串電子束，長度百納秒量級。產(chǎn)生的電子束將在一段直線加速腔中被加速到約400 MeV，此時的電子束是脈沖分布的，間隔為加速所用微波的周期(約10 cm)。之后將這些電子束團注入到展束環(huán)中對束團進(jìn)行縱向的拉伸，使電流分布由梳狀得到展平，得到在縱向上均勻分布的準(zhǔn)連續(xù)束團。之后將該束團從展束環(huán)引出，注入到SSMB主環(huán)中進(jìn)行儲存，在主環(huán)中，電子束由于激光調(diào)制器的聚束作用并在量子激發(fā)和輻射阻尼平衡下保持微聚束狀態(tài)， 束長在數(shù)十納米量級。該微聚束在輻射段被進(jìn)一步壓縮到3nm左右，實現(xiàn)波長13.5nm的強相干輻射，從而輸出千瓦量級的EUV光。

另外，SSMB-EUV光源并不是現(xiàn)在才有的，早在2021年年初，相關(guān)的論文就發(fā)表在了世界頂級學(xué)術(shù)期刊《自然》上。

并且根據(jù)今年年初官方的消息，SSMB-EUV光源落戶雄安。

其實早期的極紫外光也是靠大型電子加速器獲取的，但是為了將EUV光刻機商品化，所以對EUV光源進(jìn)行了小型化改造，所以其技術(shù)難度也很高。

當(dāng)然，有了SSMB-EUV光源，不意味著傳統(tǒng)的EUV光源我們就不搞了。例如，頭一段時間，長春光機所公開了一批省科技獎提名項目，其中有五項是與光刻機有關(guān)，并且大部分都跟EUV光刻機有關(guān)，包括極紫外光光刻機光學(xué)技術(shù)。可見，我國在EUV光源領(lǐng)域已經(jīng)取得了不少突破。

多種技術(shù)方向齊頭并進(jìn)，這也是我們的傳統(tǒng)，哪個先完成，哪個技術(shù)先進(jìn)、成本可靠、效率高，就先用哪個。

總之，SSMB-EUV光源這個方案極具創(chuàng)新性，把極紫外光光源變成了類似發(fā)電廠發(fā)出來的電，天然氣公司輸送的天然氣，供暖企業(yè)提供的熱水，把這些資源變成了一種原材料，根據(jù)自己的需求購買，極大的降低了EUV光刻機的復(fù)雜性，有效降低了技術(shù)難度，好處多多。

不管怎樣，從多種線索來看，有網(wǎng)友表示的國產(chǎn)EUV光刻機也快了，看來絕非空穴來風(fēng)。不論是ASML的DUV光刻機還是EUV光刻機，都是西方按照他們的邏輯、技術(shù)去實現(xiàn)的。不意味著，我們一定要走他們走過的路，這時，中國人所具備的聰明特質(zhì)，就發(fā)揮作用了。

所以，還是那句話，千萬別再用西方的過往經(jīng)驗套用在中國身上，真的不適用。那么接下來，就讓我們等待更多國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的好消息吧。