近期業(yè)內(nèi)人士指出純國產(chǎn)的14nm工藝最快將在明年底量產(chǎn)，這與此前力推的28nm工藝實現(xiàn)純國產(chǎn)，無疑是一個巨大的進步，國產(chǎn)先進工藝的快速進展將有利于推動國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的躍進。

最早傳出14nm國產(chǎn)化的是電子信息研究所所長溫曉君，今年6月他接受采訪的時候就表示國產(chǎn)14nm芯片將在明年年底前實現(xiàn)量產(chǎn)，那么純國產(chǎn)芯片制造工藝為何一下子就從此前的努力實現(xiàn)28nm國產(chǎn)化躍進到14nm呢？

這就要從光刻機的特性說起，業(yè)界人士指出其實并沒有嚴格意義上的28nm、14nm光刻機，自從45nm工藝以來都是采用浸潤式光刻機，光源都是DUV光源ArF，激光光源波長都是193nm，然后通過水介質(zhì)的折射后將波長進一步縮短，如此光源的波長可以縮短至132nm至12nm，由此就可以生產(chǎn)45nm至28nm工藝。

后來芯片制造工藝又引入了FinFET技術(shù)，從而同樣以193nm光源的DUV光刻機卻可以生產(chǎn)出14nm－10nm工藝的芯片，甚至臺積電第一代7nm工藝也是以DUV光刻機和FinFET技術(shù)開發(fā)出來的。中芯國際已以ASML的DUV光刻機生產(chǎn)出14nm工藝，這就意味著國內(nèi)的芯片制造企業(yè)已掌握了FinFET技術(shù)。

目前國產(chǎn)光刻機已做到40nm，其中的關(guān)鍵就是如何以技術(shù)手段將193nm的光源通過水介質(zhì)折射后進一步縮短，而將193nm的光源通過水介質(zhì)折射后用于生產(chǎn)28nm、14nm的光源原理應(yīng)該類似，近期就有業(yè)界人士傳出國產(chǎn)的光源技術(shù)已成功取得突破，將光源縮短到13．5nm，如此一來研發(fā)出用于生產(chǎn)14nm工藝的國產(chǎn)光刻機也就在情理之中。

生產(chǎn)一個先進工藝制程其實不僅僅是光刻機，而是有諸多環(huán)節(jié)和設(shè)備，業(yè)內(nèi)人士總結(jié)大約就是八大環(huán)節(jié)，此前國產(chǎn)芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈通過點突破的方式陸續(xù)解決了除光刻機之外的其他環(huán)節(jié)和設(shè)備，都已進展到14nm及更先進工藝。

其中廣為人知的當屬刻蝕機，而刻蝕機也是國產(chǎn)芯片制造設(shè)備中進展最快的，目前國產(chǎn)的刻蝕機已突破到5nm工藝，這也說明了國內(nèi)的技術(shù)研發(fā)實力是相當強的，完全有足夠的技術(shù)實力研發(fā)先進的芯片制造設(shè)備。

只不過光刻機是其中最為復雜的一種設(shè)備，涉及到激光光源、鏡頭、機臺等，僅僅是光刻機其實就一條相當復雜的產(chǎn)業(yè)鏈，ASML的光刻機也是需要德國、日本和美國的諸多廠商提供相關(guān)的配件才能生產(chǎn)出來，國產(chǎn)光刻機此前在機臺、光源等方面都已突破了，其中的技術(shù)關(guān)鍵應(yīng)該就在于如何將193nm的光源通過技術(shù)處理進一步縮短，如今這一個難題得到解決，同時解決28nm和14nm光刻機國產(chǎn)化也就在情理之中。

ASML在今年一季度突然大舉對中國出貨DUV光刻機，其中的原因或許就是它了解到中國在光刻機技術(shù)上的突然進展，希望在中國量產(chǎn)14nmDUV光刻機之前再賺一筆；美國突然出手要求ASML停止對中國出售14nm以下的光刻機，可能都與此有關(guān)，因為中國即將解決14nm工藝的光刻機，限制14nm以上的光刻機已沒有了意義。

中國人在技術(shù)研發(fā)方面的實力人所共知，連美國的許多技術(shù)研發(fā)人才都是華裔，也可以看出中國人在技術(shù)研發(fā)方面的天賦，美國的做法激發(fā)了中國技術(shù)人才的奮進之心，數(shù)年時間就在芯片制造方面取得飛躍式的進步，這顯然出乎美國的意料，事實已經(jīng)說明了限制無助于全球科技的發(fā)展，全球科技的發(fā)展就需要互補，合作才能共贏。

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