最近媒體鋪天蓋地報(bào)道三星的3nm將要投產(chǎn)，而且是劃時(shí)代的GAA(環(huán)繞柵極)晶體管。“到底是騾子是馬”還不好下判斷，也許是4nm翻車(chē)讓三星痛定思痛，加快了進(jìn)度;也有可能是公關(guān)障眼法。

在TheElec最新報(bào)道提到，三星最快本周開(kāi)始試產(chǎn)3nm工藝，第一個(gè)客戶(hù)來(lái)自中國(guó)礦機(jī)芯片廠(chǎng)商，名為PanSemi。

這似乎表明，PanSemi資金雄厚且膽子挺大，畢竟三星3nm初期產(chǎn)能很低。

企查查工商信息顯示，PanSemi實(shí)為上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，2016年才成立，實(shí)繳注冊(cè)資本4500萬(wàn)。遺憾的是，該公司其它資料不多，官網(wǎng)十分簡(jiǎn)陋，公布的企業(yè)參保人數(shù)也僅有3人。

回到3nm本身，按照三星的說(shuō)法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%。相較于目前應(yīng)用在5nm、7nm上最先進(jìn)成熟的FinFET晶體管，GAA可以更精確地控制電流、柵極寬度也更窄。