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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存顆粒出貨超3億顆 128層QLC準(zhǔn)備量產(chǎn)

2021-09-22
來(lái)源:西安集成電路
關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)江存儲(chǔ) QLC

  在9月14日的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存顆粒出貨超3億顆,128層QLC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn),TLC良率做到相當(dāng)水準(zhǔn)。

  長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)唯一大規(guī)模量產(chǎn)了3D閃存的公司,2019年初實(shí)現(xiàn)了32層3DNAND量產(chǎn),其首創(chuàng)Xtacking技術(shù),順利研發(fā)出64層3DNAND,并于2019年9月量產(chǎn)256Gb(32GB)TLC3DNAND。

  2020年4月份,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出128層堆棧的3D閃存。該公司稱128層QLC3D閃存(X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3DNAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

  值得一提的是,此次同步登場(chǎng)的還有128層TLC閃存(X2-9060),單顆容量512Gb(64GB)。

  性能方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)透露,兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫(xiě)性能,3DQLC單顆容量高達(dá)1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

  據(jù)悉,兩款產(chǎn)品均采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)自研Xtacking2.0架構(gòu),外圍電路和存儲(chǔ)單元可堆疊,帶來(lái)極佳的擴(kuò)展性。




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