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長江存儲QLC閃存已做到4000次PE的超長壽命

2024-03-25
來源:快科技
關鍵詞: 長江存儲 QLC 閃存

近日的中國閃存市場峰會上,長江存儲展示了一系列產(chǎn)品和技術解決方案。雖然因為種種原因,太多東西不能說,但依然有驚喜。

比如新一代 QLC 3D NAND 閃存,內(nèi)部代號 "X3-6070",就有著極為優(yōu)秀的素質(zhì),可滿足企業(yè)級、消費級、嵌入式全場景的應用需求。

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它的 IO 接口速度達到了 2400MT/s,相比上代的 1600MT/s 提升了足足 50%,同時讀取、寫入速度都有著接近 100%的提升。

更不可思議的是可靠性和壽命,P/E 編程擦寫循環(huán)居然能做到驚人的 4000 次,是上代產(chǎn)品的 4 倍!

要知道,常規(guī)的 MLC 閃存也只能做到 3000 次左右的 P/E,TLC 閃存初期僅為 100-150 次,成熟后不過 1000 次左右,企業(yè)級增強版也只有 3000 次。

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據(jù)長江存儲的工作人員透露,他們的 QLC 閃存之所以能做到 4000 次 P/E,一方面來自獨特的 Xtackig 精湛架構,另一方面也是工藝和技術日漸成熟的結果。

當然,不是所有的 QLC 都有這么高的水平,僅限企業(yè)級產(chǎn)品,而且要看良品率,消費級最高可以做到 2000 次左右。

具體到實際產(chǎn)品中,情況也會有所不同,要看產(chǎn)品定位和設計,要結合寫入放大因素,比如長江存儲自有品牌的首款 QLC 產(chǎn)品,致態(tài) Ti600,估計只有 600 次左右。

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在 OEM 領域,長江存儲的下一代 PC41Q 將引入 QLC,可用于筆記本、臺式機、一體機等。

它支持 PCIe 4.0 x4、NVMe 1.4,讀寫帶寬 5.5GB/s,動態(tài)功耗低于 4W,PS4 待機功耗低于 2mW,并擁有媲美 TLC 的高可靠性和數(shù)據(jù)保持能力,平均故障間隔時間達 200 萬小時,可以在 30 ℃環(huán)境下穩(wěn)定保存數(shù)據(jù) 1 年之久。

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除了 QLC 閃存外,長江存儲還展示了企業(yè)級 SSD 和嵌入式 UFS/eMMC 等產(chǎn)品。

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