根據(jù)韓國媒體《Etnews》報導指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進行EUV運用于DRAM先進制程，準備與韓國三星、SK海力士競爭。
     報導指出，美光招聘敘述是“企業(yè)內部開發(fā)EUV應用技術，并管理新EUV系統(tǒng)，以及與EUV設備制造商阿斯麥（ASML）溝通”，工作地點就在美光總部美國愛達荷州。美光已開始生產第3代10納米級（1z）DRAM存儲器，預計2021上半年開始大量生產第4代10納米級（1a）DRAM存儲器。

與競爭對手三星、SK海力士不同的是，美光不打算將EUV技術運用在第4代10納米級DRAM存儲器，而是未來第7代10納米級（1d）DRAM存儲器。
     存儲器與CPU邏輯制程一樣，近年面臨制程微縮的問題。如果使用EUV光刻技術，可減少多重曝光過程，提供更細微的制程精度與良率，進一步減少產品生產時間并降低成本，還可提高效能。不過，EUV光刻設備每部單價近1.5億歐元，初期投資成本較深紫外光光刻設備（DUV）高許多，因此會讓廠商考慮再三。美光先前就是因成本考量，加上采用DUV設備打造的DRAM符合市場需求，因此時程落后三星及SK海力士。

 目前三星已在第3代10納米級DRAM存儲器生產導入EUV技術，且還預計2021年發(fā)表第4代10納米級的DRAM存儲器生產增加EUV技術。至于SK海力士則將在2021年量產第4代10納米級DRAM存儲器導入EUV技術，目前SK海力士也分批導入EUV設備，預計在京畿道利川市的新DRAM工廠建立EUV技術產線。
     相較兩家競爭對手已導入或正導入EUV技術，美光顯然落后。外界解讀這次美光招聘EUV工程人員，目的在于先研究EUV運作技術，以在未來正式推出相關技術的產品。因市場預期存儲器市場將逐漸迎接正循環(huán)周期，美光也藉此儲備未來市場競爭的最佳能量。