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美光推出面向移動應(yīng)用、業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點
2019-08-23
關(guān)鍵詞: 美光 DRAM LPDDR4X 容量最高

愛達(dá)荷州博伊西,2019 年 8 月 15 日 ——美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了美光為當(dāng)前和下一代移動設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。

美光 LPDDR4X基于 UFS多芯片封裝 (uMCP4),滿足了移動設(shè)備制造商對于低功耗以延長電池壽命,以及更小尺寸、纖薄設(shè)計、有吸引力的設(shè)備外形的需求。美光已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 LPDDR4X 和 uMCP4,引領(lǐng)行業(yè)向 1z 納米工藝節(jié)點過渡。

“數(shù)據(jù)密集型移動應(yīng)用程序不斷推動著消費(fèi)者對于大容量內(nèi)存和存儲的需求,這種需求不僅出現(xiàn)在旗艦智能手機(jī)中,而且出現(xiàn)在中高端移動設(shè)備中,”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示,“新一代 16Gb LPDDR4X 旨在滿足當(dāng)今數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的需求,同時確保滿足未來邊緣端高級人工智能處理和高帶寬 5G 應(yīng)用的需求?!?/p>

美光 LPDDR4X 在同等尺寸條件下為分立式設(shè)計和低功耗多芯片封裝提供了更高的密度,以滿足更廣泛的智能手機(jī)用戶群體的需求。新興的 5G 移動技術(shù)需要一個能夠提供更高數(shù)據(jù)率和實時數(shù)據(jù)處理的內(nèi)存子系統(tǒng),從而為移動設(shè)備用戶提供絕佳的體驗。

美光1z 納米 LPDDR4X 產(chǎn)品具備業(yè)界最低的能耗,同時保持了LPDDR4 最高的時鐘頻率,高達(dá) 4,266兆位/秒 (Mbps)。與上一代針對 4K 視頻播放等內(nèi)存密集型應(yīng)用的解決方案相比,美光1z 納米 LPDDR4X的能耗降低了 10%。LPDDR4X作為目前業(yè)內(nèi)最高容量的單片式 16Gb LPDDR4X 裸晶(單個封裝中堆疊多達(dá) 8 個裸晶),與前幾代 LPDDR4相比,可在不增加封裝尺寸的條件下,實現(xiàn)內(nèi)存容量的翻倍。

美光 LPDDR4X 內(nèi)存解決方案現(xiàn)已批量供貨,提供分立式解決方案和八種不同配置的基于 UFS 的多芯片封裝 (uMCP4),可選擇范圍從 64GB + 3GB組合至 256GB + 8GB組合。uMCP4滿足了日益增長的中高端市場對于類似旗艦智能手機(jī)性能的內(nèi)存需求。

參考:

1 16 Gigabit (Gb) = 2.0 Gigabyte (GB);8 裸晶 LPDRAM 封裝提供高達(dá) 16GB 的容量


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