在下一代制程工藝上，有實(shí)力有財(cái)力走得更遠(yuǎn)的半導(dǎo)體公司沒(méi)幾家了，聯(lián)電已經(jīng)放棄了12nm以下的先進(jìn)工藝， 英特爾 還掙扎在10nm節(jié)點(diǎn)，目前公布5nm及3nm計(jì)劃的只有臺(tái)積電和 三星 兩家，其中臺(tái)積電5nm節(jié)點(diǎn)投資250億美元，而3nm工藝也確定了投資計(jì)劃了，投資規(guī)模6000億新臺(tái)幣，目前臺(tái)南園區(qū)的3nm工廠已經(jīng)通過(guò)了環(huán)評(píng)初審，預(yù)計(jì)最快2022年底投產(chǎn)。

　　臺(tái)積電的7nm工藝今年已經(jīng)量產(chǎn)了，首發(fā)的7nm芯片是嘉楠耘智的 ASIC 礦機(jī)芯片，不過(guò)真正的大頭還是蘋(píng)果的A12、 海思 麒麟980以及 AMD 、NVIDIA的7nm CPU / GPU 芯片。

　　與16nm FF工藝相比，臺(tái)積電的7nm工藝（代號(hào)N7）將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時(shí) 晶體管 密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+（代號(hào)N7+）工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒(méi)有變化。

　　在5nm節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電將投資250億美元發(fā)展5nm工藝，預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。與初代7nm工藝相比，臺(tái)積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗，晶體管密度再高1.8倍，至于性能，預(yù)計(jì)能提升15%，不過(guò)使用新設(shè)備的話可能會(huì)提升25%。

　　在3nm節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電也公布了相關(guān)計(jì)劃，去年表態(tài)稱(chēng)投入了數(shù)百名工程師資源進(jìn)行早期研發(fā)，而晶圓工廠也將落戶南科臺(tái)南園區(qū)，占地28公頃，位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠。目前臺(tái)灣環(huán)保部門(mén)已經(jīng)通過(guò)了“臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開(kāi)發(fā)暨原一期基地變更計(jì)畫(huà)環(huán)差案”初審，預(yù)計(jì)在2020年交地給臺(tái)積電建設(shè)工廠。

　　根據(jù)臺(tái)積電的資料，他們的3nm項(xiàng)目投資超過(guò)6000億新臺(tái)幣，約為194美元或者1347億人民幣，2020年開(kāi)始建廠，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn)。