DRAM價(jià)格今年第4季開(kāi)始反轉(zhuǎn)走跌，主因市場(chǎng)對(duì)智慧型手機(jī)與伺服器需求動(dòng)能出現(xiàn)雜音，拖累概念股茂硅、南亞科、世界、威剛、宜鼎、華邦電等重挫。然而，法人認(rèn)為，隨著資料中心需求提高，加上記憶體大廠美光將強(qiáng)化在臺(tái)布局，5G將成為下一波業(yè)績(jī)續(xù)攻的主力。
綜觀DRAM族群昨日股價(jià)，幾乎一面倒，其中表現(xiàn)最為弱勢(shì)的茂硅大跌近5％，其次南亞科、世界跌幅達(dá)3.81％、3.6％，而威剛、宜鼎及華邦電跌幅也都超過(guò)2％以上。
近年DRAM報(bào)價(jià)走勢(shì)，先前已歷經(jīng)9個(gè)季度的價(jià)格上升循環(huán)，惟受到產(chǎn)業(yè)需求動(dòng)能趨于平淡，導(dǎo)致市場(chǎng)具供過(guò)于求的壓力，也使得DRAM正式終結(jié)價(jià)格連9季上漲的超級(jí)周期（Super Cycle） 。
品豐大中華投顧總經(jīng)理連干文表示，DRAM從去年開(kāi)始，呈現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，因此帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走高，然而，由于市場(chǎng)需求不如預(yù)期，加上DRAM資本支出成本又高，其實(shí)從今年第3季開(kāi)始，價(jià)格漲幅就已大幅收斂。
日盛投顧總經(jīng)理李秀利說(shuō)，DRAM下半年需求疲軟，主因智慧型手機(jī)硬體規(guī)格已難以吸引換機(jī)需求，形成旺季不旺的局面，加上伺服器市場(chǎng)出貨動(dòng)能出現(xiàn)雜音，以及PC及NB市場(chǎng)因Intel平臺(tái)供貨不足，亦使產(chǎn)業(yè)雪上加霜。
此外，她表示，美記憶體龍頭廠美光科技（Micron）為了有利擴(kuò)展業(yè)務(wù)，去年起規(guī)劃在臺(tái)建立后段封測(cè)生產(chǎn)基地，將原有的晶圓制造與新建的后段封測(cè)集中在同一處，該封測(cè)廠將于本周五（26 日）開(kāi)幕，而美光強(qiáng)化在臺(tái)布局之舉，也將使臺(tái)灣在記憶體方面的長(zhǎng)才，再度受國(guó)際矚目。
再者，根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查，未來(lái)伴隨著資料中心建置的普及，以及2020年之后5G世代的來(lái)臨，微型伺服器應(yīng)用將在未來(lái)的3-5年內(nèi)，呈現(xiàn)顯著成長(zhǎng)，屆時(shí)可望拉升記憶體的使用量。
展望后市，連干文強(qiáng)調(diào)，盡管DRAM應(yīng)用于PC領(lǐng)域需求不如以往，且今年第4季DRAM報(bào)價(jià)也已出現(xiàn)松動(dòng)，估計(jì)2019年續(xù)跌壓力大，惟隨著DRAM運(yùn)用于云端需求將大幅攀升，未來(lái)產(chǎn)值亦將呈現(xiàn)正成長(zhǎng)，若以長(zhǎng)期來(lái)看，仍不必過(guò)于悲觀，后續(xù)發(fā)展值得留意。
威剛陳立白：明年DRAM仍看好
對(duì)于記憶體市場(chǎng)景氣，威剛董事長(zhǎng)陳立白表示，明年DRAM市場(chǎng)仍看好，價(jià)格雖無(wú)法再創(chuàng)高但相對(duì)穩(wěn)定，至于NAND Flash將是過(guò)于求，明年價(jià)格跌幅恐較今年擴(kuò)大，只做NAND Flash的廠商明年?duì)I運(yùn)恐較今年更辛苦。
對(duì)于記憶體市場(chǎng)景氣，陳立白表示，明年仍看好DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)，雖然供給量增加，但三大廠在擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作上有所節(jié)制，增加的產(chǎn)能有限，但需求方面則穩(wěn)定成長(zhǎng)，包括資料中心、物聯(lián)網(wǎng)、人工智慧等對(duì)DRAM需求有增無(wú)減?？傮w而言，明年DRAM價(jià)格雖無(wú)法再創(chuàng)高但也相對(duì)穩(wěn)定，價(jià)格可能較今年持平或緩跌。
至于NAND Flash市場(chǎng)部分，陳立白看法保守。他指出，國(guó)際大廠競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)幅度不小，現(xiàn)在全球投入NAND Flash廠商有6～7家，每家都以5萬(wàn)片或10萬(wàn)片投片量在擴(kuò)產(chǎn)，雖然NAND Flash需求也會(huì)成長(zhǎng)，但供給量成長(zhǎng)大于需求量，可能造成明年 NAND Flash價(jià)格跌幅較今年擴(kuò)大。