EUV芯片制造技術(shù)的競賽正在全球范圍內(nèi)上演，日前，三星宣布已經(jīng)試產(chǎn)基于EUV技術(shù)的7nm芯片，并正在研究如何提升其產(chǎn)能，加速輔助性的IP和EDA基礎(chǔ)架構(gòu)，細化封裝能力。三星的這次宣布無疑是在對標(biāo)臺積電，為了追趕臺積電芯片設(shè)計生態(tài)的進程，后者于本月初曾傳出過類似的消息。

三星聲稱他們正在對基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取樣，為帶Xilinx嵌入式FPGA的固態(tài)硬盤做好準備。7nm是這次通告的亮點，標(biāo)志著EUV掩模檢測系統(tǒng)內(nèi)部開發(fā)的一次里程碑式的進展。

與10nm節(jié)點相比，7LPP工藝可以減少40%的面積同時提高20%的速度，或降低50%的功耗。另外，三星表示他們擁有包括Ansys、Arm、Cadence（具備7nm的數(shù)字與模擬流程）、Mentor、Synopsys和VeriSilicon在內(nèi)的50個Foundry代工伙伴，已經(jīng)試產(chǎn)出7mn工藝的芯片。

據(jù)說這一工藝吸引了眾多網(wǎng)站巨頭、網(wǎng)絡(luò)公司以及手機廠商的客戶，不過，三星預(yù)計在明年初之前不會向客戶推送公告。

三星Foundry市場總監(jiān)Bob Stear指出，自今年初以來，位于韓國華城的Fab工廠S3產(chǎn)線的EUV系統(tǒng)能持續(xù)支持250-W光源，這個功率水平使生產(chǎn)量滿足了需求量，即1,500個晶片/天。此后，EUV系統(tǒng)達到了280 W的峰值，而三星的目標(biāo)是300W。

EUV技術(shù)使傳統(tǒng)氟化氬系統(tǒng)所需的掩模數(shù)量減少了五分之一，從而提高了芯片產(chǎn)量。不過，節(jié)點在前段制程的基礎(chǔ)層中仍需要進行一些多重曝光。

為了加速EUV投入到生產(chǎn)，三星開發(fā)了自己的系統(tǒng)來比較和修復(fù)預(yù)期和實際的掩模曝光。VLSI研究員G. Dan Hutcheson將這個系統(tǒng)描述成一個掩模檢查系統(tǒng)，因為目前尚不清楚它是否像典型的第三方檢測系統(tǒng)那樣自動化。

7nm節(jié)點將在年底達到Grade 1 AEC-Q100汽車標(biāo)準。在封裝方面，三星正在研發(fā)一款RDL插入器，能將多達8個HBM堆疊安裝在一個設(shè)備上，同時，三星還在開發(fā)一種將無源器件嵌入基板的工藝，為了給數(shù)據(jù)中心的芯片節(jié)省出空間。