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因?yàn)樘O(píng)果 全球移動(dòng)內(nèi)存價(jià)格還得漲

2018-05-22
關(guān)鍵詞: NAND 閃存芯片 智能手機(jī)

從去年底以來(lái),NAND閃存芯片的價(jià)格由張轉(zhuǎn)跌,統(tǒng)計(jì)稱到Q1季度價(jià)格跌去了50%,不過(guò)DRAM內(nèi)存的價(jià)格還是居高不下,Q1季度內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)了5.4%。除了PC、服務(wù)器內(nèi)存之外,移動(dòng)內(nèi)存現(xiàn)在已經(jīng)是DRAM的主力,消息稱由于中國(guó)智能手機(jī)廠商小米、華為、OPPO、Vivo需求強(qiáng)勁,再加上蘋(píng)果今年的iPhone手機(jī)還會(huì)繼續(xù)加大內(nèi)存容量,因此Q2季度移動(dòng)內(nèi)存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)創(chuàng)新高。


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集邦科技旗下的DRAMeXchage今天發(fā)布了2018年Q1季度移動(dòng)內(nèi)存統(tǒng)計(jì)報(bào)告,由于Q1季度新品發(fā)布,智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)復(fù)蘇,一季度移動(dòng)內(nèi)存環(huán)比增長(zhǎng)5.3%,當(dāng)季度營(yíng)收84.35億美元,創(chuàng)造了新的記錄。

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圖:全球移動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)廠商營(yíng)收表現(xiàn)


Q2季度全球移動(dòng)內(nèi)存的價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)溫和上漲,但是由于中國(guó)手機(jī)廠商如小米、華為、OPPO、Vivo需求強(qiáng)勁,再加上蘋(píng)果備貨需要,2018年的iPhone手機(jī)內(nèi)存還會(huì)繼續(xù)增加,所以DRAMeXchnage預(yù)測(cè)Q2季度移動(dòng)內(nèi)存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)上漲,營(yíng)收再創(chuàng)新高。

具體來(lái)看,三星Q1季度的移動(dòng)內(nèi)存營(yíng)收47.66億美元,市場(chǎng)份額56.5%,營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)了5.2%。技術(shù)方面,三星的18nm工藝經(jīng)過(guò)兩年發(fā)展已經(jīng)普及到了幾乎所有移動(dòng)DRAM生產(chǎn)線上,只有少量的LPDDR3 eMCP封裝產(chǎn)品還在使用20nm工藝。


SK Hynix當(dāng)季營(yíng)收21.22億美元,環(huán)比增長(zhǎng)2.2%,市場(chǎng)份額25.2%。增長(zhǎng)有限主要是因?yàn)樵摴镜?8nm工藝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移進(jìn)展不順,目前仍處于開(kāi)發(fā)初期階段,LPDDR4、LPDDR3的主力工藝依然是21nm、25nm,預(yù)計(jì)Q3季度之前18nm工藝的產(chǎn)品都不會(huì)顯著增長(zhǎng),2018年內(nèi)18nm工藝移動(dòng)內(nèi)存占比不會(huì)超過(guò)10%。


美光公司當(dāng)季營(yíng)收14.08億美元,環(huán)比增長(zhǎng)10.2%,份額16.7%,增長(zhǎng)速度是三大內(nèi)存公司中最快的。工藝技術(shù)方面,美光臺(tái)灣(前Rexchip)公司將在Q2季度加大移動(dòng)內(nèi)存中的17nm工藝份額,前身為華亞科的美光臺(tái)灣公司目前主要以20nm工藝生產(chǎn)LPDDR4。美光正在加快轉(zhuǎn)向從LPDDR3到LPDDR4內(nèi)存的速度,預(yù)計(jì)2018年內(nèi)占比可達(dá)50%以上。


除了三大廠商之外,內(nèi)存芯片市場(chǎng)還有南亞科技,當(dāng)季營(yíng)收9600萬(wàn)美元,環(huán)比增長(zhǎng)19.1%,主要是因?yàn)槟蟻哃PDDR3 4Gb顆粒的產(chǎn)能增加,許多公司選擇這種芯片用于eMCP封裝。至于工藝方面,南亞目前主力依然是30nm,正在加快轉(zhuǎn)向20nm工藝。


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