IC Insights最新報告預測，DRAM與NAND快閃存儲器等，未來五年年均復合增長率（CAGR）可達7.3%，產值將從去年的773億美元擴增至1，099億美元。
報告將半導體區(qū)分成邏輯、存儲器，模擬與微組件（microcomponents）IC等四種類型，在五年的預測區(qū)間內，以存儲器成長力道最為強勁，模擬IC以5.2%次之，微組件為4.4%，至于邏輯IC則僅有2.9%。
IC Insights指出智能手機等移動設備對低功耗存儲器需求激增，是驅動DRAM與NAND快閃存儲器成長的主要動能。除此之外，使用NAND快閃存儲器的固態(tài)硬盤（SSD）在數(shù)據(jù)中心、筆記本電腦的應用也日趨吃重。
三星上周五公布2016年第四季財報，在Note 7自燃召回的狀況下，營益竟然還能逆勢跳增近80%，就是因為受惠于存儲器價格大漲，將利潤空間拉大。
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