TSMC、三星不僅要爭(zhēng)搶10nm，再下一代的 7nm 更為重要，因?yàn)?10nm 節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是低功耗型過(guò)渡制程，7nm才是真正的高性能制程?，F(xiàn)在 ARM 宣布已將 Artisan 物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思（Xilinx）公司，制造制程則是TSMC公司的7nm。該晶片明年初流片，不過(guò)2018年才會(huì)正式上市。

　　Xilinx 是重要的 FPGA 晶片公司，也是 TSMC 公司的大客戶(hù)之一，TSMC 的新制程大多是 FPGA 晶片首發(fā)，這次合作也不例外。ARM 授權(quán) Xilinx 賽靈思公司在 TSMC 公司的7nm制程上使用自家的 Artisan 物理IP內(nèi)核，后者是 ARM 開(kāi)發(fā)的PGA（Power Grid Architect），可以?xún)?yōu)化集成電路的電源柵極，號(hào)稱(chēng)減少10%的晶片面積，提升20%的面積利用率。

　　根據(jù) ARM、Xilinx 的消息，該物理IP預(yù)計(jì)在明年初流片，2017年出樣給客戶(hù)，不過(guò)正式上市要等到2018年。這個(gè)時(shí)間點(diǎn)跟 TSMC 宣布的7nm量產(chǎn)時(shí)間差不多，該公司之前多次強(qiáng)調(diào)會(huì)在2018年量產(chǎn)7nm制程。

　　那么7nm制程到底能帶來(lái)多大的提升？恰好 TSMC 這兩天公布了部分7nm制程細(xì)節(jié)，他們已經(jīng)使用7nm制程試產(chǎn)了 256MB SRAM 電路，cell單元面積只有0.027mm2，讀寫(xiě)電壓0.5V，與 16nm 制程相比速度可以提升40%，或者功耗降低65%。

　　不過(guò) TSMC 這個(gè)對(duì)比中還隔了一個(gè)10nm，他們之前也公布過(guò)與10nm制程的對(duì)比，7nm制程下晶體管速度提升20%，或者能耗降低40%。