AMD誠意滿滿，全新技術(shù)加持Ryzen 5000
此次 COMPUTEX-2021大會(huì)，不僅展示了3D堆疊技術(shù)首次應(yīng)用，“3D vertical cache bonded”技術(shù)出現(xiàn)在AMD Ryzen 5000系列處理器產(chǎn)品中，并且對(duì)于廣泛的應(yīng)用程序來說，新的處理器將有十分“恐怖”的性能提升。
據(jù)悉，AMD此次亮相的prototype 3D 芯片互聯(lián)密度是2D的200多倍，并且是現(xiàn)有3D封裝解決方案的15倍之多；而這一切都是都是來自于AMD與TSMC的密切合作。此次AMD帶來的新的3D解決方案能耗更低，是迄今為止全球最靈活的有源3D堆疊技術(shù)。（active-on-active silicon stacking technology）
AMD computex2021 “蘇媽”展示最新CHIPLET技術(shù)（圖源：AMD）
AMD不僅只帶來Ryzen 5000系列處理器，還表示在2021年底前開始生產(chǎn)3D堆疊技術(shù)加持的高端產(chǎn)品，目前其計(jì)算和圖形處理技術(shù)在汽車和移動(dòng)市場已經(jīng)擁有廣泛的應(yīng)用，包括新能源領(lǐng)袖Tesla、電子設(shè)備巨頭Samsung等廠商；Tesla Model S 和Model X最新的車載娛樂系統(tǒng)是采用AMD的Ryzen系列APU和RDNA2架構(gòu)的GPU，還支持3A游戲大作；與三星合作開發(fā)下一代Exynos SoC，該SoC采用基于AMD RDNA 2架構(gòu)的定制圖形IP內(nèi)核，為旗艦機(jī)帶來光線跟蹤和可變速率著色功能等全新技術(shù)。
ComputeX 2021 AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su（圖源：Google）
臺(tái)積電N6RF、N5A技術(shù)性能全面提升
全新的處理器芯片是設(shè)計(jì)的產(chǎn)物，也絕少不了制造的一份努力。臺(tái)積電也在其技術(shù)研討會(huì)上公布了其業(yè)界領(lǐng)先的專業(yè)技術(shù)：包括其先進(jìn)的3D Fabric封裝和芯片堆疊技術(shù)。新推出的產(chǎn)品包括用于汽車的N5A系列；下一代5G智能手機(jī)的N6RF和WiFi 6/6E；以及一系列使用3D Fabric技術(shù)的定制芯片。
TSMC N5A技術(shù)節(jié)點(diǎn)路線圖（圖源：TSMC）
N5A是TSMC 5nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的最新成員，旨在滿足車載電腦日益增長的算力提升和復(fù)雜場景的邏輯計(jì)算需求，例如支持人工智能的輔助駕駛和車載中控的智能化。N5A系列將當(dāng)今用于超級(jí)計(jì)算機(jī)中的相同技術(shù)用在車載芯片上，在滿足AEC-Q100 2級(jí)以及其他汽車安全和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中質(zhì)量和可靠性要求的同時(shí)，極大程度的提升了N5A的性能、功率效率和邏輯密度，TSMC也預(yù)計(jì)其N5A工藝生產(chǎn)的芯片將于2022年第三季度上市。
TSMC還對(duì)外披露稱，自去年宣布N4研發(fā)計(jì)劃以來，目前進(jìn)展極為順利，風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)計(jì)劃在2021年第三季度進(jìn)行；并且值得一提的是，其N3技術(shù)是目前全球最先的工藝技術(shù)，也將在2022年下半年開始批量生產(chǎn)。憑借經(jīng)驗(yàn)證的FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，N3將提供高達(dá)15%的速度增益，或比N5低30%的功耗，并提供高達(dá)70%的邏輯密度提升。
TSMC N3 3nm技術(shù)（圖源：google）
不僅在N5節(jié)點(diǎn)臺(tái)積電有了最新動(dòng)作，此次大會(huì)還介紹了N6RF工藝，其先進(jìn)的N6工藝技術(shù)在功率、性能和面積上的優(yōu)勢下，直接引入到5G射頻（RF）和WiFi 6/6E的解決方案中。據(jù)悉，N6RF晶體管在16nm節(jié)點(diǎn)處的性能比上一代RF技術(shù)高出16%以上，N6RF支持的5G RF收發(fā)器在低于6kMHz和毫米波頻段上能夠顯著降低功率和面積，但是絲毫不會(huì)影響提供給消費(fèi)者的性能、功能和電池壽命。
臺(tái)積電的三維硅堆疊和先進(jìn)的封裝技術(shù)3DFabric系列
對(duì)于高性能計(jì)算應(yīng)用，TSMC也將在2021年為其InFO oS 和CoWoS 封裝解決方案提供更大的floor plan尺寸，從而為芯片排布和高帶寬內(nèi)存集成芯片提供更大的排布圖。此外，臺(tái)積電SoIC芯片組（CoW）將于今年在N7-on-N7上獲得認(rèn)證，計(jì)劃于2022年在一家新的全自動(dòng)化Fab進(jìn)行量產(chǎn)。
TSMC 3D Fabric CoWoS封裝技術(shù)（圖源：TSMC）
而對(duì)于移動(dòng)平臺(tái)應(yīng)用來說，臺(tái)積電正在推出其InFO_B解決方案，該方案旨在將功能強(qiáng)大的移動(dòng)處理器集成在一個(gè)輕薄、緊湊的封裝中，在提高性能和能效的同時(shí)支持制造商在該封裝上堆疊DRAM芯片，將整個(gè)電路做到一顆芯片上。
TSMC InFo_B解決方案（圖源：Google）
也就是說在TSMC最新的技術(shù)加持下，AMD此次大會(huì)秀出產(chǎn)品可謂驚艷，同時(shí)AMD首席執(zhí)行官 Lisa Su（網(wǎng)友喜稱：“蘇媽”）還表示：隨著 AMD 繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新步伐，AMD的高性能計(jì)算和圖形技術(shù)將得到越來越多行業(yè)和商業(yè)伙伴的采用。
隨著全新的Ryzen和Radeon系列處理器的推出，整個(gè)計(jì)算機(jī)行業(yè)AMD產(chǎn)品和技術(shù)的生態(tài)也將越來越完善。同時(shí)也表示，接下來在芯片制造前沿的3D Fabric創(chuàng)新技術(shù)才是整個(gè)行業(yè)發(fā)展的未來，將本來用于大型超級(jí)計(jì)算機(jī)的CHIPLET技術(shù)融入到個(gè)人電腦、汽車芯片和移動(dòng)端設(shè)備的設(shè)計(jì)理念，將會(huì)對(duì)用戶性能、功耗和綜合體驗(yàn)帶來大幅度提升。
