西部數(shù)據(jù)公司今日宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術BiCS3，具有64層垂直存儲功能。BiCS3由西部數(shù)據(jù)公司與制造商東芝公司聯(lián)合開發(fā)，初步的閃存容量為256GB，且在單芯片上的容量最高可達0.5TB。目前，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其位于日本四日市的合資企業(yè)開始試產(chǎn)，預計今年晚些時候完成初產(chǎn)。公司計劃在2017年上半年開始商業(yè)化量產(chǎn)。

　　西部數(shù)據(jù)存儲技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram先生表示：“在我們64位架構基礎上發(fā)布下一代3D NAND技術，將增強我們在NAND閃存技術領域的領導地位。BiCS3采用了3位元型技術，并在高深寬比半導體處理上實現(xiàn)進展，能夠以更優(yōu)成本提供更高容量、出色性能，并具有更高的可靠性。這項技術與BiCS2一道，大幅擴寬了我們的3D NAND產(chǎn)品組合，提升了我們滿足零售、移動和數(shù)據(jù)中心整體客戶應用需求的能力?！?/p>

　　西部數(shù)據(jù)希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3，本季度開始OEM取樣檢驗。同時，公司將繼續(xù)為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產(chǎn)品。