中國把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為命脈來抓，國內(nèi)最大也是最先進的存儲芯片廠即將在武漢開工，總計耗資240億美元，預(yù)計在2017年到2018年開始生產(chǎn)，而且中國國產(chǎn)存儲芯片會跳過2D NAND閃存直接進入3D NAND閃存時代，起點可不低。不過在3D NAND市場上，四大豪門已經(jīng)積累太多優(yōu)勢了，其中三星一家的3D NAND產(chǎn)能就占到了40%，國產(chǎn)NAND閃存要想打開市場，面臨的難度可想而知。

　 　集邦科技公布的全球主要的閃存芯片供應(yīng)商報告中，三星2015年的NAND產(chǎn)能約為484.5萬片晶圓，主流工藝是16nm。在3D NAND閃存上，三星是全球量產(chǎn)最早的供應(yīng)商，2013年就量產(chǎn)V-NAND閃存了，當(dāng)時還是32層堆棧的(第一代24層堆棧的沒有規(guī)模量產(chǎn))，之后三星 又推出了48層堆棧的第三代V-NAND閃存，并與去年底開始量產(chǎn)。

　　集邦科技公布的全球主要NAND廠商的產(chǎn)能及份額

　　三星在中國西安投資70億美元建設(shè)新一代晶圓廠，主產(chǎn)的就是3D NAND閃存，在如此龐大的投資下，三星西安工廠去年1-8個產(chǎn)值就達到了115億元。根據(jù)集邦科技的分析，三星在2016年有可能占到全球3D NAND閃存市場的40.8%份額，絕對是一家獨大。

　　SK Hynix去年的產(chǎn)能約為249萬片晶圓，主流工藝也是16nm，他們的3D NAND閃存芯片要在今年Q1季度才能量產(chǎn)，主要36層堆棧的MLC及48層堆棧的TLC閃存，3D NAND閃存市場份額預(yù)計為3.3%。

　　東芝/閃迪去年的產(chǎn)能約為588萬片晶圓，主流工藝是15nm，不過3D NAND閃存也是要到今年Q1季度量產(chǎn)，主要是48層堆棧的MLC/TLC閃存，今年預(yù)計份額為5.4%。

　　美光/Intel合資的IMFT公司去年產(chǎn)能219.5萬片晶圓，主流工藝為16nm，去年Q4季度開始量產(chǎn)32層堆棧的MLC/TLC閃存，預(yù)計今年的份額為17.6%。

　　此外，Intel雖然與美光合資生產(chǎn)閃存，但去年已經(jīng)決定把中國大連的Fab 65工廠從芯片組生產(chǎn)轉(zhuǎn)向閃存制造，總計投資55億美元，分析認為投產(chǎn)的產(chǎn)品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint閃存。

　　隨著三星、Intel等國際公司擴大中國晶圓廠的3D NAND閃存產(chǎn)能，中國大陸所占的3D NAND產(chǎn)能有可能從目前的8%提高到2017年的超過10%。

　 　另一方面，中國本土自建的國產(chǎn)NAND工廠本月底正式動工，預(yù)計2017年到2018年正式建成投產(chǎn)，由武漢新芯科技公司負責(zé)運營，而且所生產(chǎn)的芯片直 接進入3D NAND閃存時代，技術(shù)來源是飛索半導(dǎo)體，但不確定他們的3D NAND閃存具體是什么工藝，技術(shù)水平與三星、Intel相比如何。

　　國產(chǎn)存儲芯片晶圓廠的產(chǎn)能目標(biāo)是每月20萬片晶圓，算起來一年就是240萬片了，差不多達到了SK Hynix現(xiàn)在的水平，不過月產(chǎn)20萬片晶圓的目標(biāo)不是一蹴而就的，一座晶圓廠通常的月產(chǎn)能不過是數(shù)萬片，所以20萬片的月產(chǎn)能需要多年的產(chǎn)能建設(shè)才有可能。