2015年受到需求面不振、持續(xù)供過于求的影響，DRAM價格呈現(xiàn)顯著衰退，尤其以標準型存儲器最為明顯。TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange調查顯示，在寡占市場型態(tài)下，雖然小幅供過于求且價格持續(xù)下滑，各供應商生產(chǎn)仍保持紀律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續(xù)2013年 與2014年態(tài)勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2016年雖然受惠于來自智能手機 及服務器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。DRAMeXchange預估2016年整體DRAM需求成長率約為 23%，供 給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過于求，DRAM單價持續(xù)下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉進所造成的成本下降以及產(chǎn)品組合的調配。
2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下：
年度位元產(chǎn)出來自20奈米制程轉進，晶圓投片量大約持平
吳 雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態(tài)，各供應商在產(chǎn)能的擴張上皆有所節(jié)制，相較仍處于完全競爭的市場型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來自于SK海力士（Hynix）與美光半導體（Micron） 20/21奈米的轉進，晶圓產(chǎn)能上，除三星（Samsung）的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續(xù)啟用之外，2016年DRAM 總投片量與2015年呈現(xiàn)持平。
隨著 市場需求轉變以及20奈米逐漸成熟，DDR4 的生產(chǎn)比例越來越高。2015年由于英特爾（Intel）平臺支援度的問題，DDR4的導入主要發(fā)生在服務器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主 流。DRAMeXchange預估，個人電腦/筆記型電腦端由新平臺Skylake開始采用DDR4，將會在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。
行動式存儲器與服務器存儲器生產(chǎn)比重持續(xù)提升
智 慧型手機受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機種（除Apple以外）以3GB/4GB為標準規(guī)格。吳雅婷指出，2016年第 二季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市，大幅增加行動式存儲器的需求動能。服務器存儲器亦然，受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升 高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助于服務器存儲器生產(chǎn)比重提升。
中國進軍DRAM意圖仍在，但進入門檻高，難有進展
2016 年中國持續(xù)發(fā)展半導體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，存儲器方面更是中國發(fā)展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態(tài)勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態(tài)結構穩(wěn)固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過于求，因此三強與中國合作可能性低，使得中 國欲進軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠高過其他半導體產(chǎn)品類別。