《電子技術(shù)應(yīng)用》
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域

2015-03-23

       SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略,聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù),以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢領(lǐng)域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面,將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。

  據(jù)ET News報導(dǎo),日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀(jì)錄之際,反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識,透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道,不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時刻,應(yīng)透過強(qiáng)化根本競爭力,建立不會輕易被市場動搖的SK海力士獨家優(yōu)勢領(lǐng)域。

  SK海力士2015年的事業(yè)方向也與樸星昱的論點結(jié)合,比起在全新領(lǐng)域投資發(fā)發(fā)事業(yè),更致力于提升公司固有的基礎(chǔ)競爭力。

  首先在DRAM領(lǐng)域,SK海力士為全球第二大DRAM業(yè)者,市占率27.3%,僅次于三星電子(Samsung Electronics)的40.0%。而2015年以提升市占率為主要目標(biāo),致力于提升制程技術(shù)以增強(qiáng)成本競爭力。

  因此正全力實現(xiàn)20納米制程量產(chǎn)技術(shù),預(yù)定在上半年正式應(yīng)用于生產(chǎn)DRAM;在市場高速成長的Mobile DRAM領(lǐng)域,也將積極推出低功耗(LP)DDR4產(chǎn)品,以吸引高階市場客戶。

  NAND Flash方面,SK海力士以上半年正式量產(chǎn)TLC產(chǎn)品為首要課題,同時也致力于擴(kuò)大供應(yīng)SSD等解決方案,以提高收益性。SK海力士的DRAM部門雖然 位列全球第二名,但在NAND Flash上卻屈居第五,市占率僅約10%,因此推升排名也被SK海力士視為2015年的優(yōu)先課題之一。

  而相對弱勢的系統(tǒng)芯片部門,則以發(fā)展CIS為重點。SK海力士自2007年開始開發(fā)CIS,2015年計劃推出高畫素等級產(chǎn)品,目標(biāo)是在年底前創(chuàng)造出可見的成果。

  據(jù)了解,SK海力士對于高附加價值產(chǎn)品,如應(yīng)用處理器(AP)或是電力半導(dǎo)體等領(lǐng)域,并沒有正式的發(fā)展計劃。公司有關(guān)人士表示,系統(tǒng)芯片的項目多樣,也是終究要培養(yǎng)的領(lǐng)域,不過短期內(nèi)將會集中發(fā)展市場成長性佳、且公司有把握做好的領(lǐng)域。

  業(yè)界人士表示,半導(dǎo)體事業(yè)的特性正是成敗在一念之間,可能因一個對的決定奪得豐碩戰(zhàn)果,也可能因一次的錯誤投資就遭遇巨大虧損。SK海力士尤其需要策略善用現(xiàn)有優(yōu)勢,以存儲器為中心擴(kuò)大市占率并壓制海外競爭業(yè)者。


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