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IBM儲存技術新突破 新PCM芯片容量翻倍

2011-07-03
來源:賽迪網
關鍵詞: 相變存儲器 PCM IBM DRAM

  7月2日消息,據國外媒體報道,IBM" title="IBM">IBM研究員研發(fā)出儲存新技術,可更可靠地長時間在服務器上儲存數據。

  此技術稱為相變存儲器" title="相變存儲器">相變存儲器(phase-change memory),簡稱PCM" title="PCM">PCM存儲,可取代快閃記憶體,快閃記憶體在移動設備使用程度相當頻繁,但在高端企業(yè)基礎設施等卻有所限制。

  IBM工作人員表示,已研發(fā)出一種PCM芯片,與其他PCM芯片相比,此產品可有效讓設備存儲容量翻升一倍,但錯誤率卻仍舊維持在很低。一般PCM芯片若長時間儲存數據可能出現一些問題。

  獨立研究分析師克Claus Egge表示:“PCM芯片的一大問題就是信賴程度,如果你儲存東西的時間太久,就得排除很多錯誤才能找回檔案”

  IBM表示,此次的PCM芯片是成本較低,速度較快且更加耐用的存儲,可用在消費性設備和數據中心產品,IBM可能授權此技術,而不是靠自己制造PCM,IBM每年自授權技術的業(yè)務,收入約10億美元。

  IBM預計大概5年的時間,自己設計的PCM芯片就會應用至服務器和云端儲存等的產品上,但現在判定PCM適用什么市場言之過早。

  IBM預計,就速度和耐久度而言,PCM可成為跨越快閃記憶體和DRAM" title="DRAM">DRAM存儲之間差距的橋梁,雖然DRAM PCM速度無法跟上,但讀取和寫入數據速度卻是快閃記憶體100倍。PCM也較耐用,寫入循環(huán)達千萬次,高于快閃記憶體的3萬次。

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