MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來的十年中，兩種新興的非易失性存儲器類型（相變存儲器和磁RAM）將在獨(dú)立存儲器中處于領(lǐng)先地位。

　　Mark Webb在最近的虛擬閃存峰會上做了一系列演講。他得出的結(jié)論是，盡管目前正在開發(fā)中的新興存儲器技術(shù)種類繁多，但英特爾的相變存儲器（稱為3D XPoint存儲器或Optane）將在2025年和2030年主導(dǎo)獨(dú)立的新興非易失性存儲器市場，這是部分原因是英特爾虧本出售內(nèi)存業(yè)務(wù)的原因。

　　Webb將新興內(nèi)存定義為PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在這些分析中，Webb并不討論開始受到關(guān)注的嵌入式/ SoC新興存儲器MRAM。

　　韋伯認(rèn)為，由英特爾提供的PCM將在2025年占據(jù)獨(dú)立新興存儲器市場90％的份額，而MRAM僅次于第二，在2030年仍將如此。

　　韋伯表示，盡管英特爾虧本出售了相變內(nèi)存。但韋伯在FMS演講中說，3D Xpoint的營業(yè)利潤率非常低，并估計(jì)出售Xpoint會使英特爾每季度損失3億多美元。韋伯說，盡管隨著內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，這種損失可能會減少，但這種損失將持續(xù)下去。

　　他補(bǔ)充說，沒關(guān)系。永久內(nèi)存非常適合數(shù)據(jù)中心，可以將英特爾架構(gòu)與AMD和其他競爭對手區(qū)分開來。韋伯說，內(nèi)存余量并不是英特爾的目標(biāo)。

　　韋伯在一篇博客文章中說：“我們預(yù)測Optane的收入將大幅增長，這僅僅是因?yàn)橛⑻貭栒谙蛩顿Y數(shù)十億美元，并正在為其發(fā)展新的總線連接。如果沒有英特爾，則將數(shù)字除以5到10?！?/p>

　　盡管韋伯的分析對于諸如ReRAM和FeRAM之類的替代存儲器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特爾和美光共同推出PCM五年后，除對英特爾的銷售外，美光的年銷售額還不到1000萬美元。韋伯表示，在同意一項(xiàng)技術(shù)可行之后，要想達(dá)到高產(chǎn)量，需要很長時間。

　　韋伯觀察到：“如果ReRAM或FeRAM起飛，它將在四到五年內(nèi)，并且不會取代其他市場?！?/p>

　　延伸閱讀：

　　MRAM/ReRAM/PCM/XPoint/FRAM誰主沉??？

　　PCM：也稱為PRAM，相變存儲器技術(shù)基于在正常環(huán)境溫度下無定形或結(jié)晶的材料。晶態(tài)具有低電阻，非晶態(tài)具有高電阻。

　　在化學(xué)和物理學(xué)中，任何無定形的物質(zhì)都被稱為液態(tài)或氣態(tài)。固態(tài)，液態(tài)和氣態(tài)也稱為“相位”。相變存儲器的名稱源于位單元在晶相和非晶相之間切換的結(jié)果。

　　自20世紀(jì)60年代開始研究以來，PCM 于2006年首次出貨。該技術(shù)通?；诹?qū)倩锊ＡВ╟halcogenide glasses），英特爾/美光聯(lián)合開發(fā)的3D XPOINT內(nèi)存就是基于PCM的。PCM的最大優(yōu)勢是：它可以使用簡單的2端二極管，而不是雙向器件進(jìn)行選擇，因?yàn)樵谠O(shè)置、復(fù)位或讀取位時電流的運(yùn)行方向相同。

　　MRAM：磁性RAM基于巨磁阻（GMR），其自20世紀(jì)90年代初以來一直用于HDD記錄頭。當(dāng)多層GMR堆疊的某些層在相同方向上被磁化時，另一層將表現(xiàn)為低電阻。當(dāng)它們以相反方向磁化時，層的電阻會很高。這種磁化可以通過導(dǎo)線周圍的場（Toggle Mode MRAM）產(chǎn)生，也可以通過使正向或反向電流通過位單元（Spin-Tunnel Torque或STT MRAM）來實(shí)現(xiàn)。目前，這兩種產(chǎn)品都有出貨。

　　MRAM已經(jīng)獲得了大量投資，這產(chǎn)生了許多STT MRAM變體，包括垂直STT、過程自旋扭矩、旋轉(zhuǎn)軌道扭矩（SOT）等。盡管迄今為止所有設(shè)備都使用了三端選擇器，但最近的研究表明，未來幾年可能會使用雙端選擇器。

　　ReRAM：電阻式RAM有許多名稱，ReRAM、RRAM和Memristor是最常見的。ReRAM最廣泛的定義包括使用電阻存儲元件的任何存儲器； 包括PCM和MRAM。為了將它們區(qū)分開來，這里的ReRAM是任何非PCM或MRAM的、基于電阻的存儲技術(shù)。

　　大多數(shù)ReRAM中的位設(shè)置/復(fù)位機(jī)制涉及金屬絲或氧空位的產(chǎn)生和消除：原子實(shí)際上在器件內(nèi)移動。這自然會導(dǎo)致磨損，但研究人員認(rèn)為這種磨損可以大大低于NAND閃存。該過程使用正向和反向電流，這有時使得三端子選擇器比雙端子選擇器更容易使用。但是，某些ReRAM可以與雙端選擇器配合使用，某些變體甚至可以在位單元內(nèi)執(zhí)行選擇。這使得它們在單層中使用時是經(jīng)濟(jì)的，并且允許它們在多層中構(gòu)造以進(jìn)一步降低成本。

　　雖然大多數(shù)ReRAM使用新材料，但一些公司已經(jīng)開發(fā)出可以使用已經(jīng)用于大批量芯片生產(chǎn)的成熟材料制造。目前，某些ReRAM已經(jīng)批量出貨。

　　FRAM：鐵電存儲器，F(xiàn)RAM或FeRAM，但它并不使用鐵，這項(xiàng)技術(shù)之所以這樣命名，是因?yàn)樗臋C(jī)制與鐵被磁化和去磁時的機(jī)制十分類似。在一個方向上的電流將使FRAM單元內(nèi)的原子轉(zhuǎn)移到分子的一端，反向電流將它們轉(zhuǎn)移到另一端。

　　FRAM通常不是電阻存儲器。今天生產(chǎn)的FRAM使用破壞性讀取機(jī)制，其向單元施加寫入電壓。如果電流流動，則意味著原子從單元的一端移動到另一端，并且單元處于擦除狀態(tài)。如果沒有電流流動，則原子已經(jīng)在電池的那一端。如果讀取操作導(dǎo)致原子移動，則在讀取單元格之后必須將該原子恢復(fù)到原始位置。

　　最近的研究發(fā)現(xiàn)，F(xiàn)RAM可以使用氧化鉿制成，氧化鉿是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工廠的材料。這是FRAM區(qū)別于其他新興存儲技術(shù)的決定性優(yōu)勢。目前的FRAM使用三端選擇器，這對其承載能力有一定限制。

　　其他技術(shù)：NRAM由碳納米管，石墨烯存儲器，導(dǎo)電電子RAM（CeRAM）和上述技術(shù)的變體制成，如聚合物鐵電體，鐵電隧道結(jié)（FTJ），鐵電FET（FeFET），界面PCM（iPCM，也稱為Superlattice PCM或TRAM），磁電RAM（MeRAM），Racetrack Memory等等。

　　綜上，當(dāng)DRAM和NAND閃存無法繼續(xù)降低成本時，所有新技術(shù)都會爭奪下一代存儲市場地位，但在此之前必須克服諸多技術(shù)和應(yīng)用障礙。