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英特爾牽手英偉達(dá) 臺(tái)積電AMD和Arm悲喜不同

英特爾牽手英偉達(dá) 臺(tái)積電AMD和Arm悲喜不同

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四（9月18日），英偉達(dá)宣布將向英特爾投資50億美元，并與其聯(lián)合開(kāi)發(fā)PC與數(shù)據(jù)中心芯片。未來(lái)，英特爾將在即將推出的PC芯片中采用英偉達(dá)的圖形技術(shù)，并為基于英偉達(dá)硬件的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品提供處理器。兩家公司未透露首批產(chǎn)品的上市時(shí)間，并強(qiáng)調(diào)現(xiàn)有的產(chǎn)品規(guī)劃不受影響。英特爾牽手英偉達(dá) 臺(tái)積電AMD和Arm悲喜不同

三星推出 Exynos Auto UA100汽車(chē)UWB芯片

三星推出 Exynos Auto UA100汽車(chē)UWB芯片，支持厘米級(jí)測(cè)距

發(fā)表于：3/21/2025

英偉達(dá)CEO黃仁勛承認(rèn)量子計(jì)算預(yù)測(cè)失誤

3 月 21 日消息，英偉達(dá) CEO 黃仁勛今日在 GTX 2025 年度開(kāi)發(fā)者大會(huì)上宣布，英偉達(dá)將在波士頓開(kāi)設(shè)一個(gè)量子計(jì)算研究實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃與哈佛大學(xué)和麻省理工學(xué)院的科學(xué)家合作。

發(fā)表于：3/21/2025

中國(guó)自研無(wú)線皮層腦機(jī)接口植入人腦通道數(shù)破世界紀(jì)錄

3月20日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，今天上午，中國(guó)自主研發(fā)的半侵入式腦機(jī)接口“北腦一號(hào)”已在天壇醫(yī)院成功完成北京第三例人體植入手術(shù)。前兩例先后在北大第一醫(yī)院、首都醫(yī)科大學(xué)宣武醫(yī)院完成。至今，3例患者狀態(tài)良好，其中癱瘓病人已實(shí)現(xiàn)意念控制運(yùn)動(dòng)，因患漸凍癥而失語(yǔ)的病人已實(shí)現(xiàn)中文交流能力。

發(fā)表于：3/21/2025

2024年全球服務(wù)器市場(chǎng)同比暴漲91%

3月20日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC近日發(fā)布了服務(wù)器市場(chǎng)的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，得益于大型企業(yè)對(duì)AI的強(qiáng)烈需求與普及應(yīng)用，全球服務(wù)器市場(chǎng)在2024年同比增長(zhǎng)91%，增長(zhǎng)率則是自2019年以來(lái)第二高。其中，2024年第四季度，全球服務(wù)器市場(chǎng)收入達(dá)773億美元。這主要是得益于由英偉達(dá)主導(dǎo)的嵌入式GPU服務(wù)器市場(chǎng)同比暴漲192.6%。根據(jù)報(bào)告顯示，英偉達(dá)在該市場(chǎng)占據(jù)逾90%份額，與2020年相比，該市場(chǎng)約成長(zhǎng)2倍。

發(fā)表于：3/20/2025

軟銀宣布65億美元全現(xiàn)金收購(gòu)美國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Ampere

軟銀宣布65億美元全現(xiàn)金收購(gòu)美國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司Ampere

發(fā)表于：3/20/2025

美國(guó)EPC專(zhuān)利被判決無(wú)效英諾賽科獲ITC案件終極勝利

美國(guó)GaN技術(shù)廠商宜普公司（EPC）于2023年向加州地區(qū)法院和ITC提起訴訟，聲稱(chēng)國(guó)產(chǎn)GaN芯片廠商英諾賽科侵犯了EPC的4項(xiàng)專(zhuān)利，并尋求禁售與侵權(quán)賠償。

發(fā)表于：3/20/2025

我國(guó)科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)

我國(guó)科學(xué)家攻克超低溫量子接口技術(shù)：首提無(wú)需修調(diào)的超低溫低功耗 CMOS 電壓基準(zhǔn)，成果登頂刊 JSSC

發(fā)表于：3/20/2025

西門(mén)子計(jì)劃全球裁員6000人

德國(guó)西門(mén)子計(jì)劃全球裁員6000人：數(shù)字化部門(mén)受重創(chuàng)

發(fā)表于：3/20/2025

基于卡爾曼融合的雙通道微弱信號(hào)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

針對(duì)設(shè)備在水下磁異常信號(hào)檢測(cè)中難以有效采集、模數(shù)轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)范圍受限導(dǎo)致信噪比較低、微弱信號(hào)易被噪聲淹沒(méi)等問(wèn)題，設(shè)計(jì)一種基于國(guó)產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（Field-Programmable Gate Array， FPGA）的高精度磁異常信號(hào)采集系統(tǒng)。為了提升信號(hào)的信噪比與動(dòng)態(tài)范圍，在分別采用2倍和8倍的增益前級(jí)處理后，通過(guò)高精度多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片ADS1278與紫光Logos系列FPGA對(duì)三軸磁通門(mén)輸出的微弱磁異常信號(hào)進(jìn)行采集，并將采集的信號(hào)平均加權(quán)進(jìn)行初步數(shù)據(jù)融合后使用卡爾曼濾波對(duì)融合數(shù)據(jù)進(jìn)行二次修正。試驗(yàn)結(jié)果表明，融合后的信號(hào)精度明顯優(yōu)于單通道的采集信號(hào)，在使用雙通道A/D采集頻率為200 Hz、幅值為500 μV的微弱信號(hào)時(shí)，信噪比提高26.099 dB，有效提高了數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍。

發(fā)表于：3/19/2025

基于碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路設(shè)計(jì)

針對(duì)碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)難度較大、門(mén)極易受串?dāng)_、保護(hù)功能不齊全以及全國(guó)產(chǎn)化的問(wèn)題，基于國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)了一款碳化硅MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路。重點(diǎn)分析總結(jié)了碳化硅MOSFET有源米勒鉗位保護(hù)、退飽和保護(hù)以及橋臂互鎖保護(hù)原理與模型。在隔離原邊信號(hào)與副邊信號(hào)的同時(shí)，采用18 V/-3.3 V的高低電平，實(shí)現(xiàn)對(duì)上、下橋臂碳化硅MOSFET的控制，同時(shí)集成了欠壓鎖定、退飽和保護(hù)、橋臂互鎖、有源米勒鉗位保護(hù)的功能。與國(guó)際先進(jìn)水平Wolf Speed的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)板CGD1200HB2P-BM2進(jìn)行了參數(shù)對(duì)比和功能測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路開(kāi)關(guān)參數(shù)與CGD1200HB2P-BM2驅(qū)動(dòng)板相近，滿足碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)需求，并能可靠觸發(fā)保護(hù)功能。電路已實(shí)際應(yīng)用于碳化硅MOSFET的驅(qū)動(dòng)中。

發(fā)表于：3/19/2025