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東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅提高電源效率
發(fā)表于:2022/4/3 6:46:00
Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍
發(fā)表于:2022/3/24 16:40:25
東微半導體:公司 MOSFET、IGBT等產品不會惡意漲價
發(fā)表于:2022/3/9 21:24:26
【AFG專題系列72變】之二:無刷電機調速器我可以
發(fā)表于:2022/2/28 14:35:27
擴展新應用領域,PI推出首款汽車級開關電源IC
發(fā)表于:2022/2/24 0:19:44
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件,RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC,達到業(yè)內先進水平
發(fā)表于:2022/2/22 21:29:27
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件, RDS(ON)*QgFOM僅為2.8 Ω*nC,達到業(yè)內先進水平
發(fā)表于:2022/2/21 20:44:00
Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC
發(fā)表于:2022/2/21 0:30:52
MOSFET迎來春天
發(fā)表于:2022/1/3 22:21:55
新能源OBC放量,派恩杰SiC MOS憑世界領先性能率先上車
發(fā)表于:2021/12/29 11:16:00
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設計提供 碳化硅MOSFET和數字柵極驅動器
發(fā)表于:2021/12/13 18:07:17
Power Integrations推出新款InnoSwitch3-TN IC,可將家電電源能耗減少75%
發(fā)表于:2021/12/8 20:53:15
基于MOSFET的電動汽車電源開關設計
發(fā)表于:2021/12/1 16:30:00
安世半導體致力于為中國汽車半導體保駕護航
發(fā)表于:2021/11/4 16:40:52
【技術大咖測試筆記系列】之八:低功率范圍內的MOSFET表征
發(fā)表于:2021/10/20 20:42:45
意法半導體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間
發(fā)表于:2021/10/19 20:16:00
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
發(fā)表于:2021/9/8 13:44:00
?國產MOSFET,實力幾何?
發(fā)表于:2021/9/8 9:44:36
貿澤電子新品推薦:2021年7月新增超2370個物料
發(fā)表于:2021/9/5 23:17:00
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
發(fā)表于:2021/8/30 13:55:37
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
發(fā)表于:2021/8/4 15:12:55
馬來西亞無限期鎖國,MOSFET供應更嚴峻
發(fā)表于:2021/7/11 15:04:09
Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動
發(fā)表于:2021/6/24 9:20:00
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證
發(fā)表于:2021/6/10 18:23:00
Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效
發(fā)表于:2021/6/1 22:13:23
Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應用實現(xiàn)更高功率密度
發(fā)表于:2021/5/27 12:55:00
這種晶體管有望取代MOSFET?
發(fā)表于:2021/4/21 9:31:12
Vishay推出全球領先的汽車級80 V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
發(fā)表于:2021/4/11 18:37:00
如何優(yōu)化48V輕混電動車(MHEV)的電機驅動器設計
發(fā)表于:2021/3/23 20:47:46
東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET,有助于提高大電流設備的效率
發(fā)表于:2021/3/14 22:03:00
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