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Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

2022-03-24
來源:ChinaAET

2022年3月24日:基礎半導體元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。

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這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真,并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源,工程師此前需要確保他們的設計可以在(不太可能的)最壞情況下工作,而現(xiàn)在能夠在特定溫度范圍內(nèi)對設計進行仿真。

 

Nexperia與一家一級OEM合作開發(fā)了這些模型,目前僅有Nexperia能夠滿足其要求。Nexperia應用工程師Andy Berry表示:“這些全新的先進電熱模型旨在為設計人員提供最高可信度的電路仿真結(jié)果?!薄霸陔p脈沖測試中,模型對真實器件行為做出了精確預測,證明其具有出色的高精度。我們的合作伙伴在初步反饋中表示,這些模型是他們所見過最為精確的模型?!?/p>

 

繼Nexperia廣受歡迎的交互式應用筆記發(fā)布之后,這些先進的電熱模型是由我們的工程師團隊專為廣大工程師朋友設計的一系列支持工具中的最新一款,計劃在未來幾個月內(nèi)發(fā)布。此種可支持外部活動的新工具旨在盡可能為Nexperia的客戶提供無縫的器件設計。

 

有關更多信息,請訪問:www.nexperia.com/advanced-support-tools

 

 

關于Nexperia

Nexperia,作為生產(chǎn)大批量基礎半導體器件的專家,其產(chǎn)品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付1000多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節(jié)省功耗及空間。

 

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務,并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。

 

Nexperia:效率致勝。


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