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Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET

2022-07-27
來源:ChinaAET
關(guān)鍵詞: MOSFET PMCB60XN PMCB60XNE Nexperia

2022年7月27日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XNPMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。

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新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢,滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。

 

RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負(fù)載開關(guān)和電池管理效率。其卓越的性能還表現(xiàn)在自發(fā)熱降低,從而增強可穿戴設(shè)備的用戶舒適度。

 

具體而言,在VGS =4.5V時,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分別為50mΩ和55mΩ。因此,在市場上類似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE單個芯片面積導(dǎo)通電阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小型外形中,還可提供額定2kV ESD保護(人體模型 – HBM)。這兩款MOSFET的額定漏極電流最高均可達4A。

 

除了采用DSN1006封裝的這兩款MOSFET外,Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS(on)為16mΩ,在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具備市場領(lǐng)先的效率。

 

30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN現(xiàn)已供貨,可從Nexperia獲得。更多詳情,請訪問https://www.nexperia.com/mosfets

 

關(guān)于Nexperia

 

Nexperia,作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付1000多億件產(chǎn)品,產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可,擁有先進的小尺寸封裝技術(shù),可有效節(jié)省功耗及空間。

 

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗,Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù),并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認(rèn)證。


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