HBM3e 相關(guān)文章(31篇)

消息稱美光將加入16-Hi HBM3E戰(zhàn)場(chǎng)
發(fā)表于：2025/1/16 11:26:14
三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達(dá)要求
發(fā)表于：2024/12/12 11:44:11
SK海力士正式發(fā)布全球首款48GB 16Hi HBM3E
發(fā)表于：2024/11/6 10:58:25
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/11/4 13:16:16
三星高管暗示其HBM芯片已獲英偉達(dá)質(zhì)量測(cè)試重大進(jìn)展
發(fā)表于：2024/11/1 9:30:37
SK海力士將集成3D檢測(cè)單元以提升12層HBM3E的良率和產(chǎn)量
發(fā)表于：2024/11/1 8:33:31
NVIDIA B200 Ultra系列將改名為B300
發(fā)表于：2024/10/23 10:39:15
三星HBM3E因1a制程DRAM原因仍未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/10/18 10:19:43
消息稱三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)延遲調(diào)減HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃
發(fā)表于：2024/10/11 10:10:51
SK海力士宣布大規(guī)模量產(chǎn)12層HBM3E芯片
發(fā)表于：2024/9/26 11:29:39
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)線以便于專注先進(jìn)HBM內(nèi)存量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/9/13 9:50:00
美光宣布單顆36GB HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：2024/9/11 9:50:35
美光確認(rèn)啟動(dòng)生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付
發(fā)表于：2024/9/6 10:55:59
SK海力士宣布9月底量產(chǎn)12層HBM3E
發(fā)表于：2024/9/5 11:25:20
三星電子HBM3E內(nèi)存已獲英偉達(dá)驗(yàn)證
發(fā)表于：2024/9/4 9:33:36
消息稱三星8層HBM3E存儲(chǔ)芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于：2024/8/7 8:50:00
三星芯片主管警告：不改革將陷入“惡性循環(huán)”
發(fā)表于：2024/8/2 8:16:00
三星計(jì)劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/8/1 13:16:16
三星成立新的HBM團(tuán)隊(duì)推進(jìn)HBM3E和HBM4開發(fā)工作
發(fā)表于：2024/7/8 8:37:00
消息稱英偉達(dá)H200芯片2024Q3大量交付
發(fā)表于：2024/7/4 8:27:00
NVIDIA13億美元大單預(yù)定HBM3E內(nèi)存
發(fā)表于：2024/6/21 8:30:18
SK海力士展示HBM3E等AI內(nèi)存解決方案
發(fā)表于：2024/6/20 8:35:45
SK 海力士將提升1b nm DRAM 產(chǎn)能以滿足HBM3E內(nèi)存需求
發(fā)表于：2024/6/17 8:35:28
黃仁勛確認(rèn)三星HBM3e未通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/6/5 8:57:20
消息稱三星電子8層堆疊HBM3E內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證
發(fā)表于：2024/5/14 8:39:21
SK海力士：12層堆疊HBM3E開發(fā)三季度完成
發(fā)表于：2024/4/26 8:59:13
消息稱三星和AMD簽署價(jià)值4萬(wàn)億韓元的HBM3E 12H供貨協(xié)議
發(fā)表于：2024/4/24 12:25:28
消息稱三星將向英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)12層HBM3E
發(fā)表于：2024/3/25 8:59:00
SK海力士開始量產(chǎn)HBM3E內(nèi)存，本月下旬起向英偉達(dá)供貨
發(fā)表于：2024/3/19 9:05:35
三星開發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲(chǔ)芯片
發(fā)表于：2024/2/28 9:30:20

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