《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星電子HBM3E內(nèi)存性能未滿足英偉達(dá)要求

2024-12-12
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 三星 HBM3E 英偉達(dá)

12 月 11 日消息,韓媒 hankooki 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示,三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存樣品性能未達(dá)英偉達(dá)要求,難以在今年內(nèi)正式啟動(dòng)向這家大客戶的供應(yīng),實(shí)際供貨將落到 2025 年。

報(bào)道表示,三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3E 內(nèi)存的質(zhì)量測試樣品,但一年多的時(shí)間內(nèi)三星 HBM3E 的認(rèn)證流程并未取得明顯進(jìn)展。

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韓媒援引消息人士的觀點(diǎn)稱,由于 SK 海力士在 HBM3E 上的領(lǐng)先地位,實(shí)際上為這一類型的利基內(nèi)存確定了性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn),而三星電子的 HBM3E 在發(fā)熱和功耗等性能參數(shù)上無法滿足英偉達(dá)的要求。

據(jù)悉,三星電子的 HBM3E 未能得到英偉達(dá)供應(yīng)許可,主要因素并非與 SK 海力士采用了不同的鍵合工藝。

注:

SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 鍵合技術(shù),而三星電子與美光則都是 TC-NCF 熱壓非導(dǎo)電薄膜。


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