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北京大学科研团队造出1纳米记忆开关
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芯片内部原子级缺陷被首次直接观测
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北大团队成功研制纳米栅超低功耗铁电晶体管
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9.15秒仅泄漏一个电子 二维半导体芯片新突破
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Intel公布三大全新晶体管材料
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英特尔代工研究解决为不断缩小的晶体管供电的关键技术难题
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东京大学研发掺镓氧化铟晶体取代硅材料
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传统晶体管的极限 台积电3nm N3P已量产 N3X马上来
發(fā)表于：2025/4/24 上午11:01:01
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英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN™ G3晶体管
發(fā)表于：2025/3/3 下午9:34:00
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TechInsights发布台积电2nm和Intel 18A工艺细节对比
發(fā)表于：2025/2/14 上午11:26:29
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苹果A系列芯片10年晶体管数量增长19倍
發(fā)表于：2025/1/6 下午1:00:24
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三极管的重要参数介绍
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台积电首次公开2nm工艺的关键技术细节和性能指标
發(fā)表于：2024/12/16 上午11:07:11
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英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
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晶体管成本10年前已停止下降 摩尔定律定格 28nm
發(fā)表于：2024/2/4 上午10:37:54
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UCLA创建第一个稳定的全固态热晶体管
發(fā)表于：2023/12/13 下午11:04:30
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1530亿晶体管:AMD发布史上最大、最强芯片！
發(fā)表于：2023/12/12 上午9:51:00
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中国Chiplet的机遇与挑战及芯片接口IP市场展望
發(fā)表于：2023/4/4 上午12:30:00
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入门：功率放大器的工作原理及特点
發(fā)表于：2023/2/28 上午7:01:14
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入门：运算放大器的原理 运算放大器的工作线性区特点
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硅的潜在设计——MoS 2或 WSe 2沟道
發(fā)表于：2023/2/24 下午8:39:43
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聚硫酸盐可广泛用于各种高性能电子元件的原料
發(fā)表于：2023/2/19 上午6:52:00
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超导性在“魔角”石墨烯中开启和关闭
發(fā)表于：2023/2/16 下午5:36:19
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1nm晶体管技术的新进展
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淘汰14nm，Intel告别最长寿的CPU工艺
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量子计算的挑战、趋势与未来
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光电耦合器MPC354引脚图及数据手册详细
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教程：反馈电路分析方法详解
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